集成电路芯片制造实用技术第2章 硅晶圆制程.ppt

集成电路芯片制造实用技术 第2章 硅晶圆制程 第2章 硅晶圆制程 2.1 概述 2.2 半导体硅材料制备 2.3 生长硅单晶 2.4 晶圆加工成型 2.5 晶圆抛光 2.6 晶圆清洗 2.7 实训 拉晶工艺 2.1 概述 地壳中硅的含量大约是26%，因而，硅是地球上含量最丰富的元素之一，其含量仅次于氧。以二氧化硅为主要成分的石英砂可以在许多地方找到。随着硅单晶技术的发展，单晶硅晶圆的价格也逐渐下降，而且变得比单晶锗晶圆或其他单晶半导体材料的价格还要低。 硅作为衬底材料的另一个主要优势，是它能够在热氧化步骤中很容易地生长出一层二氧化硅。而且，这一热生长的二氧化硅层与下面的硅衬底之间的界面质量优良，这对于提高MOS晶体管的电学特性很有帮助。 与锗相比，硅拥有较大的能隙，因此，它能够承受较高的工作温度，而且具有较大的杂质掺杂浓度范围。此外，硅的击穿电压也比锗要高。对磷和硼等常用的掺杂杂质而言，二氧化硅可以当作掺杂的掩蔽层，因为大部分的掺杂物在二氧化硅中的扩散速率要比在单晶硅中的扩散速率慢得多。 2.1 概述 1975年全球多晶硅产量1700吨，1995年上升为4500吨，1995年虽已增至11 500吨，需求却高达13 000吨。2002年国际多晶硅市场需求量多达2.5万吨，总产量预测却2万多吨。而我国多晶硅生产却远远不能满足日益发展的信息产业的需要，到1998年只有60吨的年生产能力，需求量的85%以上依靠进口。 我国2002年IC产量已超过50亿块，多晶硅需求1000多吨，而产量仅100吨。国际市场需求量现在以每年10-12%的速度增长，据此速度预测，到2005年，全球需求将达27 000吨，2010年将达60 000吨，缺口超过万吨以上。 日本是亚洲最大的多晶硅生产国，1996年产量达到3880吨，2002年产量预测可实现5700吨。但国内仍然缺口很大，还需大量进口，多次在我国寻求货源。不仅日本，亚太地区特别是台湾、新加坡、韩国等地，都是多晶硅的主要需求地。仅以韩国为例，1999年其多晶硅年需求量为2000吨，2001年超过了4000吨。而韩国至今不能生产多晶硅，完全依靠进口。 2.2 半导体硅材料制备 采石 冶金级硅的制备 提纯 （1）盐酸化（Hydrochlorination） （2）蒸馏 （3）分解 2.3 生长硅单晶 直拉法 区熔法 2.3 生长硅单晶 2.3.1 单晶生长设备 1．石英坩埚 硅单晶生长所用盛装原料的坩埚是由玻璃质二氧化硅制成。高纯度的二氧化硅可由四氯化硅与水气反应生成。但是这种方法过于昂贵，又有高含量的OH键，而不适于大坩埚的制作。传统的坩埚是用天然纯度高的硅砂制成。 2.3.1 单晶生长设备 2.3.1 单晶生长设备 2.3.2 单晶生长 1．直拉法生长硅单晶 1．直拉法生长硅单晶 （1）装料——将半导体级别的多晶硅和掺杂剂置入单晶炉内的石英坩埚中，掺杂剂可以选择掺杂Si、P、B、Sb、As等（选择掺杂材料用以产生P型或N型材料）生长直径300mm的硅单晶生长系统一次最大装料量一般可达300kg。 （2）熔化——当装料结束关闭单晶炉门后，抽真空使单晶炉内保持在一定的压力范围内，驱动石墨加热系统的电源，加热至大于硅的熔化温度（1420℃），使单晶硅和掺杂物熔化。 （3）引晶——拉晶开始，先引出直径为3～5mm的细颈，以消除结晶位错。当多晶硅熔融体温度稳定后，将籽晶慢慢下降进入硅熔融体中（籽晶在硅熔融体中也会被熔化），然后具有一定转速的籽晶按一定速度向上提升，由于轴向及径向温度梯度产生的热应力和熔融体的表面张力作用，使籽晶与硅熔融体的固液交接面之间的硅熔融体冷却形成固态的硅单晶。 （4）缩径（颈）——当籽晶与硅熔融体接触时，由于温度梯度产生的热应力和熔体表面张力作用会使籽晶晶格产生大量位错，这些位错可利用“缩颈”工艺使之消失。 1．直拉法生长硅单晶 （5）放肩——在缩颈工艺中，当细颈生长到足够长度时，通过逐渐降低晶体的提升速度及温度调整，使晶体直径逐渐变大而达到工艺要求直径的目标值，为了降低晶棒头部的原料损失，目前几乎都采用平放肩工艺，即使肩部夹角呈180°。 （6）等径生长——在放肩后当晶体直径达到工艺要求直径的目标值时，再通过逐渐提高晶体的提升速度及温度的调整，使晶体生长进入等直径生长阶段，并使进固体直径控制在大于或接近工艺要求的目标公差值。 （7）收尾——晶体生长的收尾主要要防止位错的反延，一般讲，晶体位错反延的距离大于或等于晶体生长界面的直径，因此当晶体生长的长度达到预定要求时，应逐渐缩小晶体的直径，直至最后缩小成为一个点而离开硅熔融体液面，这就是晶体生长的收尾阶段，如图2-5所示。 2．区熔法生长硅单晶 区熔法（Float Zone