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NP1102
110V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Description Schematic diagram
The NP1102 uses advanced trench technology and D
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge.
It can be used in a wide variety of applications.
General Features
G
ID =2.5A,VDS=110V
RDS(ON)(Typ.)=225mΩ@VGS=10V
RDS(ON)(Typ.)=245mΩ@VGS=4.5V
S
High density cell design for ultra low RDS(ON)
Fully characterized avalanche voltage and current
Marking and pin assignment
Good stability and uniformity with high EAS
Excellent package for good heat dissipation 55
Special process technology for high ESD capability 00 SOT-23-6L
33 (TOP VIEW)
Application 33 D D S
11 6 5 4
Power switching application 55
Hard switched and high frequency circuits 33 NP1102
Uninterruptible power supply 22
88
Package 33 1 2 3
SOT-23-6L 11 D D G
::
LL
Ordering Information EE
Part Number Storage Temperature Package Devices Per Reel
TT
NP1102MR -55°C to +150°C SOT-23-6L 3000
Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless
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