场效应管电源的设计 .pptVIP

下载本文档

1
0
约小于1千字
约 41页
2020-03-21 发布于福建
举报
版权申诉

场效应管电源的设计 .ppt

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

第四章晶体管及其小信号放大－场效应管放大电路电子电路基础;§4 场效应晶体管及场效应管放大电路;一、结构;1 UGS0, UDS=0V;ID;N;2 UGS=0, UDS0V;当 UDS=| Vp |, 发生预夹断, ID= IDss;3 UGS0, UDS0V;三、特性曲线和电流方程; 结型场效应管的缺点：;绝缘栅型场效应三极MOSFET( Metal Oxide Semiconductor FET)。分为增强型 ? N沟道、P沟道耗尽型 ? N沟道、P沟道;一 N沟道增强型MOSFET;2 工作原理 ;(3) VGS VGS（th)0时， VDS0 ;3 N沟道增强型MOS管的特性曲线;输出特性曲线;二 N沟道耗尽型MOSFET;输出特性曲线;P沟道MOSFET;2.2.5 双极型和场效应型三极管的比较; § 4.1.4 场效应管的参数和型号; ④ 输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109～1015Ω。 ; ⑥ 最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM= VDS ID决定，与双极型三极管的PCM相当。 ;二场效应三极管的型号;几种常用的场效应三极管的主要参数 ;半导体三极管图片;半导体三极管图片;§4.2 场效应放大电路;4.2.2 场效应管的直流偏置电路及静态分析;二分压式偏置电路;4.2.2 场效应管的低频小信号等效模型;很大，可忽略。;4.2.3 共源极放大电路;s;4.2.4 共漏极放大电路－源极输出器;uo;ri;输出电阻 ro;场效应管放大电路小结;谢谢