VDMOSFET设计与仿真验证.pptVIP

第9章  VDMOSFET的设计及仿真验证 ;本章内容;本章内容; VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET，垂 直双扩散MOSFET）与双极型功率晶体管相比具有许多优良性 能： 输入阻抗高 开关速度快 工作频率高 易驱动等特点 因此，被广泛地应用于节能照明、开关电源、汽车电子、 通讯等领域。 ; VDMOS器件是在高阻外延层上采用平面自对准双扩散工艺，利用两次扩散结深差，在水平方向形成MOS结构多子导电沟道的单极器件。它的源极和漏极分别位于芯片的上下两面，形成垂直电流通道，这种结构可以实现较高漏源之间的击穿电压，因此特别适合用来制作高压MOS器件。 ;VDMOS器件利用电场控制表面沟道的载流子达到开启和关断的功能。 VDMOS器件高压主要由N-漏区和沟道所在P-区的PN结反偏形成。为了实现高压，必须降低外延层的掺杂浓度或者增大外延层的厚度，这会引起VDMOS器件导通电阻的增加，因而需要在高击穿电压和低导通电阻中间进行折衷。; 因此，VDMOS的设计主要包括中间元胞的设计和边缘 终端结构的设计；目前，很多产品为了增强抗ESD （electro-static discharge，ESD）能力，还专门设计有 ESD防护结构。 VDMO