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- 2020-03-25 发布于浙江
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第9章 VDMOSFET的设计及仿真验证 ;本章内容;本章内容; VDMOSFET(Vertical Double-diffused MOSFET,垂
直双扩散MOSFET)与双极型功率晶体管相比具有许多优良性
能:
输入阻抗高
开关速度快
工作频率高
易驱动等特点
因此,被广泛地应用于节能照明、开关电源、汽车电子、
通讯等领域。 ; VDMOS器件是在高阻外延层上采用平面自对准双扩散工艺,利用两次扩散结深差,在水平方向形成MOS结构多子导电沟道的单极器件。它的源极和漏极分别位于芯片的上下两面,形成垂直电流通道,这种结构可以实现较高漏源之间的击穿电压,因此特别适合用来制作高压MOS器件。 ;VDMOS器件利用电场控制表面沟道的载流子达到开启和关断的功能。
VDMOS器件高压主要由N-漏区和沟道所在P-区的PN结反偏形成。为了实现高压,必须降低外延层的掺杂浓度或者增大外延层的厚度,这会引起VDMOS器件导通电阻的增加,因而需要在高击穿电压和低导通电阻中间进行折衷。;
因此,VDMOS的设计主要包括中间元胞的设计和边缘
终端结构的设计;目前,很多产品为了增强抗ESD
(electro-static discharge,ESD)能力,还专门设计有
ESD防护结构。
VDMO
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