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一、电容概述;电容充电;二、MOS集成电路中的电容器;1、基本电容版图;注意，集成电路中电容值的计算，应计算有效极板面积。即上、下极板之间重叠的面积;;
;N阱电容的优缺点
单位电容值大
电容值随上极板（多晶硅栅）上的电压改变而改变
N阱与P型衬底之间形成平行极板，产生寄生电容;由于扩散电容的结构与MOS管相似，可以将MOS管的栅源漏电极进行适当连接构成有源电容，起扩散电容的作用
MOS管的沟道面积即为电容面积;
;（3）叠层电容器
利用metal1或第二层多晶硅覆盖在第一层多晶硅之上形成第三层极板，增大电容值。
金属-多晶硅-扩散区电容
;3、电容值误差——边缘电容;由于集成电路中电容器上下极板交错分布，面积不等，极板边缘效应更加明显
为了减小边缘电容的影响，版图设计中尽量不拆分电容;关于实验
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