光电技术第3讲 .pptVIP

主讲人:张建寰 教授 单 位:机电工程学院测控技术研究所 2019.04.21 光电技术第三讲 上节内容回顾 1、辐射体分类及其温度表示 2、辐射度参量与光度参数关系 3、半导体对光吸收 物质对光吸收一般规律 半导体对光吸收 4、光电效应 光电导效应 光生伏特效应 本节内容预告 1、光电发射效应 2、光电导器件 光敏电阻原理与结构 光敏电阻基本特性 光敏电阻变换电路 光敏电阻应用实例 光电发射效应 当物质中电子吸收足够高光子能量,电子将逸出物质表面成为真空中自由电子,这种现象称为光电发射效应或外光电效应. 只有光子能量大于光电发射材料光电发射阈值,才有电子飞出光电发射材料进入真空. 导带 禁带 价带 对于金属材料有: 对于半导体材料,导带中电子 对于半导体材料,价带中电子 对于半导体材料,光电发射长波限为: 光电发射器件具有不同于内光电效应特点: 1、光电发射器件中导电电子可以在真空中运动，因此，可以通过电场加速电子运动动能或通过电子内倍增系统提高光电探测灵敏度，使它能够快速探测极其微弱光信号，成为像增强器与变像器技术基本单元。 2、易制作大面积均匀光电发射器件，使其在光电成像器件方面有利，一般真空光电成像器件空间分辨率要高于半导体光电图像传感器； 3、光电发射器件需要高稳定高压直流电源设