光电器件第一章 .pptVIP

若E ? E F k 0T 上式是电子玻耳兹曼分布函数 费米分布函数与玻耳兹曼分布函数区别：前者受泡利不相容原理制约 对于空穴，1? f(E)就是能量为E 量子态被空穴占据几率 E ? E F k 0T时，上式转化为空穴玻耳兹曼分布函数 (1.2.4) (1.2.5) (1.2.6) 1.2.2 本征半导体载流子浓度 对导带或价带中所有量子态来说，电子或空穴都可以用玻耳兹曼统计分布描述 通常将服从玻耳玆曼统计分布规律半导体称为非兼并半导体，将服从费米统计分布规律半导体称为兼并半导体 对非简并半导体，在E→E+dE内 (1.2.7) (1.2.8) 对上式从导带底到导带顶积分，得到平衡态下非简并导 带与价带电子、空穴浓度 将n0与p0两式代入上式电中性条件 (1.2.10) (1.2.11) (1.2.12) (1.2.13) (1.2.9) 1.2.3 杂质半导体载流子浓度 电子占据施主能级ED几率为 设施主杂质浓度为ND，施主能级上电子浓度为 电离施主杂质浓度为 （1.2.14） （1.2.15） （1.2.16） 平衡载流子分布 半导体物理与器件湖南大学物理与微电子科学学院胡慧芳 教材与参考书 推荐教材： 《光电器件基础与应用》 彭军 科学出版社,2009 参考教材： 《半导体器件基础》(美)Robert F.Pierret著，黄如等译，2