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GJB548B 侧重于测定微电子器件的热性能，包括微电子器件的结温、热阻、 壳温、安装表面温度以及热响应时间。规定了试验所需的设备：热电偶、能使 规定参考点恒温的可控温箱或散热器、提供可控电源和进行规定测量所需的电 学设备、红外微辐射仪、用于安装被试微电子器件的典型散热器、热探针组件。 参考点温度采用热电偶直接测量。测量热阻时，应选择芯片上功耗密度最大的 结进行测量。热阻的测量有两种方法：1、直接测量结温以确定 Rth ( J ?R)  。采用红 外辐射仪可以直接测量半导体芯片内部热限制器件的结温，且应去掉封闭壳体 的帽或顶盖，以暴露出有源芯片或器件；2、间接测量结温以确定 Rth ( J ?R)  。用芯 片上特定半导体元件给出器件的结温可间接测量集成电路的热阻。并给出了测 量 T  j ( 平均 )  的开关方法。 MIL-STD-883E 中关于微电子器件热性能的测定与 GJB548B 大致相同。 MIL-STD-750E 分别规定了以下微电子器件的测试电路。 老化和寿命试验中结温的测量。有两种测试方法可用：一是选取低的测试电 流不会引起明显的自热现象（类似于热阻的测量）；二是采用一系列电流脉冲确 定温敏参数。这两种测试方法适用于二极管和双极型三极管。该标准给出了测 试中所需的设备以及两种测试方法的测试流程。最后给出了第三种测试方法， 该方法仅适用于壳安装好的功率器件，并且器件在老化或寿命试验中的工作功 率和电流范围仍低于器件的额定功率。 二极管的热阻测试。主要是测定二极管的热性能。有两种测试途径：稳态热 阻测试和瞬态热阻测试。位于半导体芯片和封装之间的固晶层中的空洞面积对 稳态热阻和瞬态热阻的影响很大，瞬态热阻相比于稳态热阻对空洞面积更敏感。 瞬态热阻测试中的建议：瞬态热阻测试方法中的潜在问题基于，在充足的解决 方案下试图用足够精确的测试手段来区分合格和不合格的二极管。由于被测二 极管电流的增加，瞬态下的热阻抗值将变得非常小，这将增加剔除合格二极管 保留不良二极管的可能性。所以在这种情况下应采用较大的 I H 值。 3、绝缘栅双极晶体管的热阻测试。测量绝缘栅双极晶体管在特定电压、电流和 持续脉冲下的热阻。该方法用来测试一个加热脉冲的结的热响应时间。特别地， 该试验可测试直流热阻，这要求持续脉冲和加热功率大小的恰当选择。 GaAs 的热阻测试。测量 MOSFET 在特定电压、电流和脉冲宽度下的热阻。 以栅源二极管的压降为温敏参数。该方法主要针对封装好的器件。 桥式整流器的热阻测试。 热阻（集电极关断电流法）。本试验测量特定条件下器件的热阻。该方法主 要用于测量具有较大热响应时间的锗器件。 晶体管的稳态和瞬态热阻测试。本试验测量晶体管的热性能。测试方法类似 于老化和寿命试验中结温的测量。 热阻（直流前置电压降,发射极, 连续法）。本试验测量特定条件下器件的热 阻。 热阻（前置电压降，集电极结, 二极管法）。本试验测量特定条件下器件的 热阻。该方法主要用于测量具有较大热响应时间的锗器件。 热响应时间。测量结温变化达到最终值 90%所需要的时间，结温变化是在 器件参考点温度保持不变的情况下，由于功耗的阶跃变化造成的。 热时间常数。测量结温变化达到最终值 63.2%所需要的时间。 热阻，通用。测量稳态条件下，指定结的单位功耗的温升或环境温度。测 试热阻的设备应满足器件使用手册的最低要求。 垂直功率 MOSFET 的热阻测试（漏源电压法）。测量 MOSFET 在特定电压、电 流和持续脉冲下的热阻。以对温度敏感的源漏二极管电压作为温敏参数。该方 法主要针对具有较长热响应时间的增强型功率 MOSFET。 半导体闸流管热阻测试。测试特定条件下半导体闸流管的热阻。 BS IEC 60747-1 定义了一般元器件的热衰减因子、等效热网络、瞬态热阻，并 规定了测试方法中的热条件。通常情况下，热条件的控制程度只有当被测性能 明显依赖于温度时才需要。如果从激励源工作到测试的时间加倍后，在充许误 差内没有引起结果的明显变化，需考虑到热平衡。对于环境温度额定的器件， 当环境温度低于半导体器件时，如果器件各层周围的环境温度大体一致，可采 用自然冷却条件。应在器件的壳以下大约 5 倍于壳的直径处测量环境温度，且 不小于 10mm。测量应在一个尺寸适当的无反射壁的腔体内进行。在器件可能被 放置的任何一个地方，腔体应能维持所规定的温度，且误差在 内。如果不 会使器件降温，且在正常对流下较大腔体内可获得相同的结果，腔体内空气轻 微的搅动是允许的。注意：该测量方法的可重复性很大程度上决定于腔体的造 型。对于壳温额定的器件，测量应在壳——环境热阻相比结——壳热阻尽可能 小的条件下进行。注意：这一条件可通过将器件放置在可自动调温的大块金属 或油槽里获得。