硅片技术标准.docxVIP

o o o 单晶硅片技术标准 1 范围 1.1 本要求规定了单晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等 1.2 本要求适用于单晶硅片的采购及其检验。 2 规范性引用文件 2.1 ASTM F42-02 2.2 ASTM F26 2.3 ASTM F84 半导体材料导电率类型的测试方法 半导体材料晶向测试方法 直线四探针法测量硅片电阻率的试验方法 2.4 ASTM F1391-93 太阳能硅晶体碳含量的标准测试方法 2.5 ASTM F121-83 太阳能硅晶体氧含量的标准测试方法 2.6 ASTM F 1535 用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的实验方法 3 术语和定义 3.1 TV：硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布情况； 3.2 TTV：总厚度误差，是指一片硅片的最厚和最薄的误差（标准测量是取硅片 5 点厚度：边缘上下左右 6mm 处 4 点和中心点）； 3.3 位错：晶体中由于原子错配引起的具有伯格斯矢量的一种线缺陷； 3.4 位错密度：单位体积内位错线的总长度(cm/cm 3 )，通常以晶体某晶面单位面积上位错蚀坑的数目来表 示； 3.5 崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和 周边弦长给出； 3.6 裂纹、裂痕：延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕； 3.7