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耿氏二极管 （Gunn Diode） （又称体效应二极管）;耿氏器件简介;耿氏二极管结构：;图7-39 体效应二极管结构及其等效电路; 砷化镓（GaAs）和磷化铟(InP)等材料的薄层具有负阻特性， 因而无需P-N结就可以产生微波振荡。
工作原理与通常由P-N结组成的半导体器件不同，它不是利用载流子在P-N结中运动的特性，而是利用载流子在半导体的体内运动的特性，是靠砷化镓等材料“体”内的一种物理效应工作的，所以这类器件被称为体效应二极管或耿氏二极管(以发明者Gunn命名)。;;;耿氏二极管典型应用：
——微波振荡器;耿氏二极管典型应用：
——微波振荡器;; 波导腔振荡器结构示意图
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