薄膜的物理气相沉积—溅射法及其他PVD方法.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 薄膜的物理气相沉积 * 离化团束沉积将蒸发的高真空度与溅射的适当范围能量的离子轰击相结合，有如下特点： (1)原子团高速冲击衬底将造成衬底局部温度升高； (2)原子表面扩散能力强； (3)创造活化的形核位置； (4)促进各个薄膜核心连成一片，成膜性好； (5)高能量原子团的轰击具有溅射清洁衬底表面和离子浅注入作用； (6)促进衬底表面发生各种化学反应； (7)沉积速率高。 薄膜的物理气相沉积 * 利用离化团束技术可以沉积各种材料，其突出的特点包括薄膜与衬底之间有良好的附着力，过程具有高真空度和高洁净度，薄膜表面平整，抑制薄膜的柱状晶生长倾向，可实现低温沉积，可控制薄膜结构，甚至可实现单晶外延等。 Back 薄膜的物理气相沉积 * 3.4.5 等离子体浸没式离子沉积 工作原理：将欲被沉积薄膜的工件浸没在均匀的低压等离子体中，并且在工件上施加频率为数百赫兹，数千伏的高压负脉冲。在高压负脉冲作用下，工件外表面处等离子体鞘层中的离子被迅速加速，并在获得相应的能量之后沉积在工件的表面。 薄膜的物理气相沉积 * 等离子体的产生方式： 直流辉光放电，射频辉光放电，微波激励辉光放电 （O2、CH4、N2、金属卤化物、金属羟基化合物等） 磁控溅射辉光放电，真空阴极电弧放电 （各种固态物质蒸汽） 薄膜的物理气相沉积 * 优点： （1）设备相对简单，适合大型复杂外形零件的薄膜沉积； （2）可完成多组元的同时沉积，对薄膜成分的控制能力强； （3）沉积离子的能量较高，有利于提高薄膜的致密性和附着力； （4）沉积温度较低。 缺点：能够沉积的薄膜种类有限。 （类金刚石薄膜，TiN、AlN、SiC、TiOx等） 薄膜的物理气相沉积 * 等离子体浸没式离子注入 特点：对离子注入没有方向性的限制，适用于 对复杂形状表面，甚至是深度较大的沟槽、深孔内表面的离子注入。 应用：金属及其他材料的表面强化、半导体材料的表面掺杂等。 Back 薄膜的物理气相沉积 * 本章小结 1. 溅射、溅射法及其特点 2. 辉光放电原理、过程 3. 等离子体鞘层及其电位分布 4. 溅射产额及影响因素、溅射阈值 5. 溅射沉积装置 （直流溅射，射频溅射，磁控溅射） 6. 离子镀，反应蒸发沉积，离子束辅助沉积 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 薄膜的物理气相沉积 * 相同条件下， 磁控溅射的靶电流较高。 特点： 沉积速率高， 维持放电所需的靶电压低， 电子对衬底的轰击能量小， 容易实现在塑料等衬底上的薄膜低温沉积等。 薄膜的物理气相沉积 * 优点： 靶材的利用率较高 薄膜的物理气相沉积 * 薄膜的物理气相沉积 * 保持适度的离子对衬底的轰击效应 薄膜的物理气相沉积 * 磁控溅射系统 薄膜的物理气相沉积 * AFM picture of Ta film deposited by sputtering on Si substrate Back 薄膜的物理气相沉积 * 3.3.4 反应溅射 化合物薄膜化学成分偏离的解决办法： 调整溅射室内的气体组成和压力，在通入Ar气的同时通入相应的活性气体，抑制化合物的分解； 以纯金属作为溅射靶材，在工作气体中混入适量活性气体，如O2、N2、NH3、CH4、H2S等，使金属原子与活性气体分子在溅射沉积的同时生成所需的化合物。——反应溅射 薄膜的物理气相沉积 * 可以沉积的化合物： (1)氧化物，如A1203、SiO2、Zn0等； (2)碳化物，如SiC、WC、TiC等； (3)氮化物，如TiN、AlN、Si3N4等 (4)硫化物，如CdS、ZnS、CuS等； (5)各种复合化合物，如Ti(C,N)等。 薄膜的物理气相沉积 * 薄膜的物理气相沉积 * 通过控制反应溅射过程中活性气体的压力，得到的沉积产物可以是有一定固溶度的合金固溶体，也可以是化合物，甚至两者的混合物。 例如：在含N2的气氛中溅射Ti，薄膜中可能包含Ti ，Ti2N，TiN等。 提高N2的分压，将有助于含氮量较高的化合物的形成。 沉积产物化学成分的变化将影响薄膜的最终使用性能。 薄膜的物理气相沉积 * 薄膜的物理气相沉积 * 随着活性气体压力的增加，靶材表面也可能形成一层相应的化合物，并导致溅射和薄膜沉积速