半导体常用缩写.docVIP

半导体常用缩写词汇汇总 EPI 外延 PM 设备维护与保养 PCW 工艺冷却水 PMC 生产计划与物料控制 PLC 可编程序控制控制器 H2 氢气 Sb 锑 N2 氮气 As 砷 SiHCl3 （TCS）三氯氢硅 B 硼 PH3 磷烷 CMOS 互补金属氧化物半导体 HCl 氯化氢 CMP 化学机械抛光 Hg 汞（水银） ESD静电释放 HNO3 硝酸 H2O2双氧水 HF 氢氟酸 MOS 金属氧化物半导体 SPC 统计过程控制 PCM 工艺控制监测 MRB 异常评审委员会 PCN 工艺变更通知单 CAB 变更评审委员会 ECN 工程变更通知单 OCAP 失效控制计划。指制程过程中失控时所应采取的对应措施。是一种受控文件，包含造成异常的因素等 PSG 磷硅玻璃 TF 薄膜 PVD物理气相淀积 PHO 光刻 PCB 印刷电路板 DIF 扩散 RF 射频 II 注入 UV紫外线 CVD 化学气相淀积 VPE气相外延 SPV 扩散长度 Bubbler 鼓泡器 CD 关键尺寸 EMO 设备紧急按钮 CD-SEM 线宽扫描电镜 ScrubbLer 尾气处理器 ETCH 刻蚀 （腐蚀） Coat 包硅 H2-BAKE 氢气烘烤 SRP 外延层纵向电阻率分布 1号液：（NH4OH:H2O2：H2O） NH4OH : H2O2 : H2O=1 : 2 : 7， 2号液：（HCl：H2O2：H2O） HCl : H2O2 : H2O=1 : 2 : 5 3号液（Caros清洗液）：(H2SO4:H2O2) H2SO4 : H2O2=3 : 1， 4#号液:H2O:HF=10:1 CV： 电容-电压测试 BOE混酸：氟化铵氢氟酸混合腐蚀液液 CZ：切克劳斯基直拉法 Wafer： 抛光片 FZ：区熔方法 THK：膜厚 Rs：电阻 TTV:总厚度偏差 TIR：平整度 STIR：局部平整度 LTO：背封 BOW:弯曲度 CHIP:崩边 SLIP：滑移线 MARK:痕迹 WARP：翘曲度 CRACK:裂纹 SPOT: 斑点 HAZE：发雾 CROWN：皇冠，边缘突起物 OISF:氧化诱生层错 ORG: 掺As单晶抛光片O2含量径向均匀性 OSF：氧化层错 BMV：气体流量控制阀 LIFE TIME：寿命 POINT DEFECT: 点缺陷 Integrated circuit：集成电路 epitaxial layer：外延层 Buried layer：埋层 interface：界面 Diameter：直径 chemical vapor polish 化学气相抛光 Polished surface ：表面抛光 back side ;反面 Front side ：正面 INJ：引入气体流量 DIL：稀释气体流量 Autodoping：自掺杂 Sccm：毫升/每分钟 Slm：升/每分钟 CDA:压缩空气 PN2：工艺氮气 Cable：电缆 MES：生产过程执行管理系统 SFC：生产车间集中 MDC：生产数据及设备状态信息采集分析管理系统 PDM：制造过程数据文档管理系统 MSA:量具测量系统分析 KPI：关键表现指标, 销售指标 Alarm ：报警 MSA: 使用数据统计和图表的方法对测量系统的分辨率和误差进行分析 QA: 指质量管理、