第1章 半导体工艺及器件仿真工具.ppt

. . (3) 基于活化能变化的电离模型 常温条件下，浅能级杂质被认为是完全电离的。然而， 对于深能级杂质而言（能级深度超过0.026eV），则会出现 不完全电离的情况。因此，铟（受主杂质）在硅中，氮（施 主）和铝（受主）在碳化硅中，都呈现深能级状态。另外， 若要研究低温条件下的掺杂行为，则会有更多的掺杂剂出于 不完全电离状态。针对这种研究需求，Sentaurus Device 嵌入了基于活化能变化的电离模型。 . (4) 热载流子注入模型 热载流子注入模型是用于描述栅漏电流机制的。该模型 对于描述EEPROMs器件执行写操作时可能发生的载流子注 入行为来说尤为重要。Sentaurus Device提供了两种热载流 子注入模型和一个用户自定义模型PMI (Physical Model Interface). 经典的lucky电子注入模型 Fiegna热载流子注入模型 . (5) 隧道击穿模型 在一些器件中，隧道击穿的发生会导致漏电流的形 成，对器件的电学性能造成影响。 Sentaurus Device提供三种隧道击穿模型： 非局域隧道击穿模型 （最常用，该模型考虑了载流子的自加热因素，能够进 行任意形状势垒下的数值求解） 直接隧道击穿模型 Fowler–Nordheim隧道击穿模型 . (6) 应力模型 器件结构内部机械应力的变化，可以影响材料的功函数、 界面态密度、载流子迁移率能带分布和漏电流等。局部区域 应力的变化往往是由于高温热驱动加工的温变作用或材料属 性的不同产生的。 应力变化引起的能带结构变化，可以由以下模型进行分析： 应力变化引起的载流子迁移率的变化，由以下公式描述： . (7) 量子化模型 Sentaurus Device提供了四种量子化模型。 Van Dot模型 Van Dot模型仅适用于硅基MOSFET器件的仿真。使用 该模型可以较好地描述器件内部的量子化效应及其在最终特 性中的反映。 一维薛定谔方程 一维薛定谔方程可以用来进行MOSFET、量子阱和超薄 SOI结特性的仿真。 . 密度梯度模型 密度梯度模型用于MOSFET器件、量子阱和SOI结构的仿 真，可以描述器件的最终特性以及器件内的电荷分布。该模 型可以描述二维和三维的量子效应。 修正后的局部密度近似模型 该模型数值计算效率较高，比较适用于三维器件的物理特 性仿真。 . Sentaurus Device仿真实例 一个标准的Sentaurus Device输入文件由以下几部 分组成，包括File、Electrode、Physics、Plot、Math和 Solve，每一部分都执行一定的功能。输入文件缺省的扩 展名为_des.cmd。 . 1. VDMOS器件雪崩击穿电压的仿真 器件的雪崩击穿电压相比与其他电学参数，比较难模拟。 因为在器件即将击穿时，即使是很小的电压变化都可能导致 漏电流的急剧增加，有些时候甚至会产生回滞现象。因此， 在这种情况下，进行雪崩击穿电压模拟计算时很难获得一个 收敛解。而在漏电极上串联一个大电阻可以有效的解决这个 不收敛问题。 在本例中，Sentaurus Device调用了之前Sentaurus Process产生的输出文件，该文件中包含了掺杂信息，网格 信息和电极定义信息。 . (1) File 该文件定义部分指定了完成器件模拟所需要的输入文件 和输出文件。 File{ * input files: Grid =“500vdmos_final_fps.tdr” * output files: Plot =“BV_des.dat” Current =“BV_des.plt” Output =“BV_des.log” } . (2) Electrode 该电极定义部分用来定义Sentaurus Device模拟中器件所 有电极的偏置电压起始值以及边界条件等。 Electrode{ { Name=“Source” Voltage=0.0 } { Name=“Drain” Voltage=0.0 Resistor= 1e7 } { Name=“Gate” Voltage