感测技术 ch2 3讲解.ppt

C 、电荷的输出 在输出端 P 型硅衬底上扩散形成输出二极管，二极 管加反压，在 PN 结形成耗尽层。输出栅 OG 加压使电 荷转移到二极管的耗尽区，作为二极管的少数载流子 形成反向电流输出。输出电流的大小与电荷大小成正 比，通过负载变为电压输出。 3 ? 1 ? 2 ? 3 ? OG n i U L R 0 U Si P 0 I 输出二极管电流法 三、线阵电荷耦合器件 线阵 CCD 结构原理图 （ 1 ）光照光敏元，各光敏元中的光敏二极管产 生光生电子空穴对，电子注入对应的 MOS 势阱中， 光像变为电像 — 电荷包。（光积分） （ 2 ）积分周期结束，控制信号使转移栅打开， 光生电荷就通过转移栅耦合到移位寄存器中，通过 移位寄存器并行输出。 （ 3 ）转移栅关闭后，光敏单元开始下一行图像 信号积分采集。 图 7-12 各脉冲的波形和相位 四、面阵电荷耦合器件 光敏区和存储区分开，光敏 区在积分时间内，产生与光像对 应的电荷包，在积分周期结束后， 利用时钟脉冲将整帧信号转移到 读出寄存器。然后，整帧信号再 向下移，进入水平读出移位寄存 器，串行输出（一帧对应光敏区 MOS 的数量） 。 光 敏 区 存 储 区 读出寄存器 CCD 图