材料的电学性能（整理）.ppt

（b）组分缺陷 阳离子空位 阴离子空位 间隙离子 阳离子空位 阴离子空位 间隙离子 4.4 金属材料的电导 4.4.1 金属电导率 最初，以所有自由电子都对金属电导率做出贡献为假设，利用经典自由电子理论，推导出的金属电导率的表达式为: 量子自由电子理论表明，并非所有自由电子都对金属电导率有贡献，而是只有在费米面附近能级的电子才能对电导做出贡献。最后再根据能带理论，推导出电导率的表达式为: 4.4.2 电阻率与温度的关系 图4-16 低温下杂质、晶体缺陷对金属电阻的影响 1 - 理想金属晶体ρ=ρ(T) 2 – 含有杂质金属ρ=ρ0+ρ(T) 3 – 含有晶体缺陷ρ=ρ0＇+ρ(T) 图4-17 金属电阻温度曲线 1 – ρ电-声∝T（T(2/3)θD）； 2 – ρ电-声∝T5（TθD）； 3 - ρ电-声∝T2（T≈2 K） ℃ 图4-18 锑、钾、钠熔化时电阻率变化曲线 图4-19 金属磁性转变对电阻的影响 4.4.3 电阻率与压力的关系 在流体静压压缩时（高达1.2 GPa），大多数金属的电阻率下降。这是因为在巨大的流体静压条件下，金属原子间距缩小．内部缺陷形态、电子结构、费米能和能带结构都将发生变化，显然会影响金属的电导率。 4.4.4 冷加工和缺陷对电阻率的影响 图4-21 冷加工变形铁的电阻在退火时的变化 1-ε=99.8%；2-ε=97.8%；3-ε=93.5%；4-ε=80%；5-ε=44% 图4-20 变形量对金属电阻的影响 4.4.5 电阻率的各向异性 一般在立方系晶体中金属的电阻率表现为各向同性，但在对称性较差的六方晶系、四方晶系、斜方晶系和菱面体中，导电性表现为各向异性。 cAu/原子百分数 图4-22 银-金合金电阻率与组成的关系 cPd/原子百分数 图4-23 铜、银、金与钯组成金合金电阻率与组成的关系 4.4.6 固溶体的电阻率 （1）形成固溶体时电阻率的变化 （a）AB型超点阵 （b）A3B型超点阵 图4-26 远程有序度对剩余电阻率的影响 图4-24 Cu3Au合金有序化对电阻率影响 1-无序（淬火态）；2-有序（退火态） 图4-25 Cu-Au合金电阻率曲线 1-淬火态；2-退火 （2）有序合金的电阻率 T /℃ 图4-27 80Ni20Cr合金加热、冷却电阻变化曲线 （原始态：高温淬火） Ε /% 图4-28 80Ni20Cr合金电阻率与冷加工变形的关系 1-800 ℃水淬+400 ℃回火； 2、3-形变+400 ℃回火 （3）不均匀固溶体（K状态）电阻率 4.5 固体材料的电导 4.5.1 玻璃态电导 (1)含碱玻璃的电导特性 在含有碱金属离子的玻璃中，基本上表现为离子电导。玻璃体的结构比晶体疏松，碱金属离子能够穿过大于其原子大小的距离而迁移，同时克服一些位垒。玻璃体与晶体不同是，碱金属离子的能阱不是单一的数值，而是有高有低，这些位垒的体积平均值就是载流子的活化能。 大多数固体材料为多晶多相材料，其显微结构往往较为复杂，由晶粒、玻璃相、气孔等组成。多晶多相材料的电导比起单晶和均质材料要复杂得多。 (a)碱金属含量不大时，σ与碱金属含量呈直线关系，碱金属只增加离子数目；但碱金属含量超过一定限度时，σ与碱金属含量呈指数关系，这是因为碱金属含量的的增加破坏了玻璃的网络，而使玻璃结构更加松散，因而活化能降低， 导电率指数式上升。 (b) 双碱效应 应用条件：当碱金属离子总浓度较大时（占玻璃25-30%），在碱金属离子总浓度相同情况下，含两种碱比含一种碱的电导率要小，比例恰当时，可降到最低(降低4～5个数量级)。 (3)压碱效应? 含碱玻璃中加入二价金属氧化物，尤其是重金属氧化物，可使玻璃电导率降低，这是因为二价离子与玻璃体中氧离子结合比较牢固，能嵌入玻璃网络结构，以致堵住了离子的迁移通道，使碱金属离子移动困难， 从而减小了玻璃的电导率。也可这样理解，二价金属离子的加入，加强玻璃的网络形成，从而降低了碱金属离子的迁移能力。 无机材料中的玻璃相，往往也含有复杂的组成，一般，玻璃相的电导率比晶体相高，因此，对介质材料应尽量减少玻璃相的电导。上述规律对陶瓷中的玻璃相也是适用的。 半导体玻璃作为新型材料非常引人注目： （1）金属氧化物玻璃（SiO2等）； （2）硫属化物玻璃（S,Se,Te等与金属的化合物）； （3）Ge,Si,Se等元素非晶态半导体。 （2）玻璃半导体 4.5.2 多晶多相固体材料的电导 陶瓷材料主要由