概述LED产业链简介.pptVIP

N/P电极光罩作业 采用负性胶，未光照区域光刻胶被显影液去掉，留下电极蒸镀区域。 演示课件 P、N光刻 N-GaN MQW P-GaN Al2O3 I T O I T O Al2O3 PR PR N-GaN MQW P-GaN I T O I T O 镀NP PR PR N-GaN Al2O3 MQW P-GaN I T O I T O Au Pt Cr NP电极形成 胶厚：6.5um （AZ4620） 演示课件 N/P电极蒸镀金属剥离 采用蒸镀机，电极分三层：Cr﹨Pt﹨Au,厚度分别为：200?﹨ 300? ﹨ 12000? 演示课件 金属熔合 熔合目的： 增强欧姆接触，提高稳定性 熔合条件： 温度：250℃，5min 演示课件 SiO2沉积 采用设备：PECVD 主要气体：SiH4/N2O SiO2作用：保护芯片，增加亮度 演示课件 开双孔光罩作业 将N/P电极区域的SiO2露出，以便下步蚀刻 演示课件 SiO2蚀刻 将电极上的SiO2用BOE（NH4F+HF）混酸腐蚀35sec,露出电极。 演示课件 去光阻 左图绿色阴影区域为SiO2，黄色阴影区域为金属电极。 演示课件 * * 单颗晶粒前工艺后成品图 演示课件 * * 演示课件 ITO蒸镀机 Temperature：200℃ O2：8.5 演示课件 * 湘能华磊光电股份有限公司 * ICP 曝光机 演示课件 * * PECVD 蒸镀机 演示课件 * * 演示课件 研切的目的 将一整片上的LED分开，形成一粒粒的芯片。并且在此过程中保持晶片完整，干净，研切工序是影响芯片成品率的主要工序。 如下图： 研磨前 裂片扩张后 演示课件 研磨切割车间工序 上蜡 (Bonding) 研磨 (Grinding) 抛光 (Polishing) 下蜡 清洗 粘片 切割 (Scribing) 裂片 (Break) 演示课件 所用仪器：千分表（单位：um） 测量方法： 1、擦干净陶瓷盘； 2、将陶瓷盘放在千分表的大理石上； 3、移动陶瓷盘，千分表表头接触陶瓷盘面，归零，找到陶瓷盘的零点位置； 4、将千分表表头接触wafer背表面，读出的数值即为wafer的厚度。 一、wafer的减薄过程 Wafer的厚度测量 演示课件 一、wafer的减薄过程 测量值记录： 每一片wafer在测厚时，为了检查晶圆研抛后的均匀性，测量并记录五个点。 分别为：上、中、平、左、右。 上 平 左 右 中 演示课件 铜盘 1、上蜡 2、研磨 3、抛光 钻石液 正面向下 砝码 一、wafer的减薄过程（减薄厚度便于切割，抛光消除应力） 演示课件 4、下蜡 5、清洗 去蜡液 丙 酮 异丙醇 一、wafer的减薄过程 演示课件 关于研磨抛光破片的几种原因 应力：单位面积上所承受的附加内力，即材料在受到外力作用，不能位移就会产生形变，材料内部会产生并聚集抵抗形变的内力，我们可以理解某点的应力为该点内力的聚集度。 特点：材料上受到任何的力，热等其他外在作用力时均会产生应力，晶片研磨后下蜡出现翘曲即是应力快速释放的结果。 演示课件 应力和划痕是破片的主要原因 研磨过程产生应力的方向 背面 正面 背面 正面 抛光过程产生应力的方向 演示课件 应力和划痕是破片的主要原因 保证晶片没有翘曲即是应力相互抵消，通过控制研磨和抛光的厚度可以适当的减小晶片的应力，但如果本身晶片的积累的应力过大，研磨和抛光的作用就不太明显。 研磨不抛光的碎裂层 研磨后抛光5um 研磨后抛光15um 演示课件 应力和划痕是破片的主要原因 划痕正常 划痕太深 演示课件 演示课件 演示课件 演示课件 演示课件 演示课件 演示课件 演示课件 LED产业链简介 演示课件 LED产业链结构 1：蓝宝石衬底生产 2：外延 3：芯片制造(重点介绍内容) 4：芯片封装 5：LED应用 演示课件 LED的本质 LED的本质就是一个PN结，通过P区空穴和N区电子的复合而释放光子，是由电能直接到光能的转换，所以LED又被称为冷光源，传统的白炽灯是有电能加热灯丝，及由电能到热能，再由热辐射出光，这也是LED发光效率高的根本原因。 演示课件 LED优点︰ ●寿命长,理论上为10万小时，一般大于5万小万。（是荧光灯的10倍） ●光效高，耗电量小,仅为白炽灯的1/8,荧光灯的1/3） ●体积小,重量轻,可封装成各种类型 ●坚固耐用,不怕震动。环氧树脂封装，防水，耐恶劣环境使用 ●多色显示,利用RGB可实现七彩色显示。 ●响应时间快,一般为毫微秒(