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非线性电阻的伏安特性曲线 通过一个元件的电流随外加电压的变化关系曲线，称为伏安特性曲线。从伏安特性曲线 所遵循的规律，可以得知该元件的导电特性，以便确定它在电路中的作用。 在坐标纸上描述伏安特性曲线之前，应阅读绪论中有关实验数据图示法的内容。 ［实验 目的］ 1、测绘二极管的伏安特性曲线，学会用图线表示实验结果。 2、了解晶体二极管的单向导电特性。 ［实验原理］ 当一个元件两端加上电压，元件内有电流通过时，电压与电流之比称为该元件的电阻。 若一个元件两端的电压与通过它的电流成比例，则伏安特性曲线为一条直线，该类元件称为 线性元件。若元件两端的电压与通过它的电流不成比例，则伏安特性曲线不再是直线，而是 一条曲线，这类元件称为非线性元件。 一般金属导体的电阻是线性电阻，它与外加电压的大小和方向无关，其伏安特性是一条直线 (见图 1)。从图上看出，直线通过一、三象限。它表明，当调换电阻两端电压的极性时，电 流也换向，而电阻始终为一定值，等于直线斜率的倒数R V 。 I 常用的晶体二极管是非线性电阻，其电阻值不仅与外加电压的大小有关，而且还与方向 有关。为了了解晶体二极管的导电特性，下面对它的结构和电学性能作一简单介绍。 图 1 线性电阻的伏安特性 图 2 晶体二极管的p-n 结和表示符号 晶体二级管又叫半导体二极管。半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间。如果在纯净 的半导体中适当地掺入极微量的杂质，则半导体的导电能力就会有上百万倍的增加。加到半 导体中的杂质可分成两种类型：一种杂质加到半导体中去后，在半导体中会产生许多带负电 的电子，这种半导体叫电子型半导体 (也叫 n 型半导体)；另一种杂质加到半导体中会产生 许多缺少电子的空穴 (空位)，这种半导体叫空穴型半导体 (也叫 p 型半导体)。 晶体二极管是由两种具有不同导电性能的n 型半导体和 p 型半导体结合形成的p-n 结构 成的。它有正、负两个电极，正极由p 型半导体引出，负极由n 型半导体引出，如图 2 (a) 所示。p-n 结具有单向导电的特性，常用图 2 (b)所示的符号表示。 关于 p-n 结的形成和导电性能可作如下解释。 图3p-n 结的形成和单向导电特性 如图 3(a)所示，由于 p 区中空穴的浓度比n 区大，空穴便由p 区向n 区扩散；同样， 由于 n 区的电子浓度比p 区大，电子便由p 区扩散。随着扩散的进行，p 区空穴减少，出现 了一层带负电的粒子区(以Ө表示)；n 区的电子减少，出现了一层带正电的粒子区(以⊕表 示)。结果在 p 型与 n 型半导体交界面的两侧附近，形成了带正、负电的薄层，称为 p-n 结。 这个带电薄层内的正、负电荷产生了一个电场，其方向恰好与载流子 (电子、空穴)扩散运动 的方向相反，使载流子的扩散受到内电场的阻力作用，所以这个带电薄层又称为阻挡层。当 扩散作用与内电场作用相等时，p 区的空穴和 n 区的电子不再减少，阻挡层也不再增加，达 到动态平衡，这时二极管中没有电流。 如图 3(c)所示，当 p-n 结加上正向电压 (p 区接正，n 区接负)时，外电场与内电场方向 相反，因而削弱了内电场，使阻挡层变薄。这样，载流子就能顺利地通过 p-n 结，形成比较 大的电流。所以，p-n 结在正向导电时电阻很小。 如图 3(c)所示，当 p-n 结加上反向电压 (p 区接负，n 区接正)时，外加电场与内场方向 相同，因而加强了内电场的作用，使阻挡层变厚。这样，只有极少数载流子能够通过 p-n 结，形成很小的反向电流。所以p-n 结的反向电阻很大。 晶体二极管的正、反向特性曲线如图 12-4 所示。从图上看出，电流和电压不是线性关 系，各点的电阻都不相同。凡具有这种性质的电阻，就称为非线性电阻。 图4 晶体二极管的伏安特性 图 5 测电阻伏安特性的电路 ［实验内容］ 测量之前，先记录所用晶体管的型号(为测出反向电流的数值，采用锗管)和主要参数 (即 最大正向电流和最大反向电压)，再判别晶体管的正、负极。 1.为了测得晶体二极管的正向特性曲线，可按照图6 所示的电路联