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- 2020-05-04 发布于湖北
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演示课件 演示课件 演示课件 演示课件 演示课件 演示课件 演示课件 演示课件 演示课件 演示课件 演示课件 演示课件 1.3 二极管电路的分析方法 1.3.1 理想二极管及二极管特性的折线近似 第 1 章 半导体二极管 1.3.2 图解法和微变等效电路法 演示课件 1.3.1 理想二极管及二极管特性的折线近似 一、理想二极管 特性 uD iD 符号及 等效模型 S S 理想二极管: 正偏导通,uD = 0;反偏截止, iD = 0; U(BR) = ? 第 1 章 半导体二极管 实际电路中当二极管正向压降远小于和它串连的电压,反向电流远小于和它并联时,认为二极管是理想的 演示课件 二、二极管的折线近似 uD iD UD(on) ?U ?I 斜率1/ rD rD UD(on) 二极管的恒压降模型 uD iD UD(on) uD = UD(on) 0.7 V (Si) 0.2 V (Ge) UD(on) 二极管特性折线模型 忽略导通电压时二极管的折线模型 uD iD rD 演示课件 UD(on) 例 1.3.1 硅二极管,R = 2 k?,分别用二极管理想模型和恒压降模型求出 VDD = 2 V 和 VDD = 10 V 时 IO 和 UO 的值。 UO VDD IO R UO VDD IO R [解] VDD = 2 V 理想 IO = VDD / R = 2 / 2
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