材料的导电性质、基本规律和性能影响.ppt

重要的发展过程 20世纪90年代，人们在Fe/Cu，Fe/Al，Fe/Al，Fe/Au，Co/Cu，Co/Ag和Co/Au 等多层膜中观察到更高的GMR，而且随中间层厚度的变化最大MR值呈现周期性振荡，振荡周期和行为非常接近多层膜中的磁耦合振荡 基于GMR研制的第一个商用产品（磁传感器）诞生于1994年，磁传感器具有灵敏度高、功耗低、小型化、大容量、廉价、稳定，是传感器更新换代的最佳候选产品 重要的发展过程 1997年ＩＢＭ公司开发出磁驱动磁盘的读出磁头，仅仅在已有的硬盘上装入新的GMR材料就能将存储能力从1千兆比特提高到20千兆比特，这类产品的市场规模在1998年就已达到几百万美元。 具有更大经济效益的应用是非挥发性的计算机存储器和自旋晶体管，1997年Holleywell公司基于GMR研制出磁随机存取存储器，目前的市场份额估计在千亿美元以上，给现有的随机存取存储器的市场带来巨大冲击。相对于半导体晶体管，自旋晶体管具有低得多的能耗、高得多的载流子浓度和储存密度大大提高等优点，用自旋晶体管代替半导体晶体管，将使得未来的信息科学与技术产生革命性的变化。 2007Nobel Prize in Physics - Giant Magnetoresistance Introduction to 2007年Nobel物理奖 法国科学家艾尔伯-费尔 德国科学家皮特-克鲁伯格 A. Fert and P. Grunberg 发现了巨磁阻效应 发现了巨磁阻效应的三个重要意义 导致磁存储与磁传感技术的革命 诱导出一门新的学科-自旋(磁)电子学(spintronics) 纳米技术的第一个重要的实际应用 Nobel Prize in Physics 2007 6 隧穿磁电阻 Tunneling magnetoresistance简称TMR 隧穿效应 经典:眼前无路好回头 电子能穿透比它动能更高的势垒，是因为它具有波动性的特性，势垒穿透的波动图象如图 两个导体被一个薄的绝缘层隔开，电子可以借助于隧道机理通过势垒层从一边到另一边，从而形成可测量的电流，这一效应称为隧穿效应 量子:眼前无路穿着走 0 a V(x) x V0 入射波+反射波 透射波 在以 铁磁金属 铁磁金属 绝 缘 层 三明治为基本结构单元的多层膜中观察到与电子在相邻铁磁金属间隧穿有关的磁电阻效应，称之为隧穿磁电阻 隧穿磁电阻 重要的发展过程 70年代初,Tedrow和Meservy利用“超导体/非磁绝缘体/铁磁金属”隧道结验证了隧穿电流是自旋极化的 4年后Slonczewski提出：以铁磁金属取代超导体,当两铁磁层磁化方向平行和反平行时，FM/I/FM隧道结具有不同的电阻值 1975年Julliere在Fe/Ge/Co隧道结中观察到隧穿有关的磁电阻现象，但室温磁电阻低于1％，没有引起人们的兴趣。 1995年Moodera等在FM/I/FM中观察超过10%的磁电阻 1998年Moodera等在Co/Al2O3/Ni80Fe20中在295,77和4.2K时分别观察到20.2,27.1和27.3％的隧道磁电阻。 colossal magnetoresistance简称CMR CMR的发展历史 20世纪50年代初，Stanten 和Jonker成功制备出La1－xAxMnO3（A代表二价碱金属 Ca，Sr或Ba）陶瓷样品，当初的动机是为了获得既具有良好绝缘性又具有好的磁有序的材料 20世纪60年代，有人合成出（La，Pb）MnO3单晶，并在单晶样品上证实了亚锰酸盐系统的异常磁电阻效应 1989年，Kuster等发现Nd0.5Pb0.5MnO3样品在强磁场、180K左右具有很大的磁电阻效应 1993年，Chahara等在La0.72Ca0.25MnOx薄膜中约220K时获得50％的磁电阻效应 7 庞磁电阻 随后的实验研究表明，这类材料确实具有良好的铁磁性质，但不是绝缘体材料，而是导电性能非常好的金属材料，为了解释这一低温下同时具有铁磁和金属导电的性质，Zener提出双交换机理 几乎同时Helmolt等制备出La2/3Ca1/2MnOx铁磁薄膜，室温下本征磁电阻可达到60％，超过了磁性多层膜的磁电阻效应 紧接着，Jin等在La0.67Ca0.33MnO3薄膜样品中观察到127000％的磁电阻，揭开了深入研究CMR锰氧化物的序幕 庞磁电阻colossal MR 锰基钙钛矿的性质 (1) 化学式 三价的稀土金属元素 如： 二价的碱土金属元素 如： 这些化合物通常都是由 演变而来 Ａ为三价稀土元素 A位置掺杂不同的离子 (2) 钙钛矿型锰氧化物的晶体结构 当它在0.75－1之间时，才能形成稳定的结构。 公差因子：