聚焦离子束电子束双束.doc

H eos li N anoa L bTM 600i 亚纳米场发射SEM 与新一代FIB的完美组合 何为双束? 并非一个SEM和FIB的简单机械组合 SDBSEM+FIB SEM SEM FIB Gallium Ga LMIS FIB Manipulators Gas Injection Electrons Detectors Sample 束交叉点 7 FEI Copyright 2010 Electron Beam 4mm 16 .5mm Helios NNL Tilt axis ? FIB = 聚焦离子束 ? FIB 通常使用液态镓离子源(LMIS) ? FIB and SEM优化的末级透镜设计 品也能保证从0到52o+的倾斜 能保证较短的工作距离,即使对大样 8 FIB : 三种基本操作模式 FIB 1 Secondary ions 1. FIB成像 ? 收集二次电子/二次离 子 2. FIB加工 ? 溅射基底原子 3. FIB沉积/增强刻蚀 ? 化学反应 FIB 2 Secondary electrons Sputtered material Other effects : ? Doping ( ) 掺杂注入 ? Bond-breaking (键断裂) ? Re-deposition(再沉积) FIB 3 Gas molecules GIS Deposited material Volatile products 12 FIB 成像 ? 通道衬度 ? 在多晶材料中,特别是金属材 料中,不同的取向 的晶粒由于离子束的通道效应会产生通道衬度, 通道衬度 12 FIB –成像 Cr coated steel wire Cr Steel 14 FIB –加工 ? 高能离子对样品表面的剥离 ? 物理溅射基底原子 Milling ? 按预先设定的轨迹扫描离子束可以 获得简单或复杂的加工图形 15 FEI Copyright 2010 双束的主要应用 ? 扫描电镜的成像与分析 ? 聚焦离子束成像 ? 准确定位的截面制备 ? 纳米图形加工 ? 连续截面加工的成像分析 = “3D” 应用 ? TEM 样品制备 ? 电子线路编辑(DE) = Circuit Edit (CE) = Microsurgery = 芯片修复 16 FEI Copyright 2010 双束的应用 纳米图形加工 截面成像与分析 三维成像 1 pyg透射样品制备 电路编辑 表面以下的检测和表征 电子束或离子束成 像能得到不同的样 品信息 电子束 二次电子成像 电子束 背散射电子成像 离子束二次电子成像 20 Helios NanoLab—- Ali 15kV: TLD-SE SEM eBeam iBeam FIB 2-mode final lens TLD-SE TLD-BSE15kV: TLD-BSE ICE DBS FIB- SEFIB- SI SEM performance : ? 1.4nm @ 1kV ? 1.0nm @ 15kV (coincidence) ? 0.9nm @ 15kV Sample ? 0.8nm @ 30kV STEM ? kV range : 350V to 30kV 43CoildfiriftaWD: 4mm Helios NanoLab - ElstarTM UHR SEM GaAs纳米线 不导电的纳米片 25 Confidential Helios NanoLab - ElstarTM UHR SEM 未经蒸镀的不导电纳米球 26 FEI Copyright 2010 优化的截面高分辨成像 Cross-sectional imain at WD 4mm g g 27 Confidential Helios NanoLab - ElstarTM UHR SEM Pt surface, TLD-SE Pt surface, TLD-BSE 28 28 新型的离子束镜筒 高分辨率离子束成像4.5 nm* @ 30kV ?采用不?同2.方5n向m的@3100k0V0个! 单Ed边g e测测量量方方法法分, 取辨 其率 平 均 值 可达 大束流下优异的离子束加工 速度(可达65nA) Large FIB cross-sections on TSV 石墨30kV FIB-SE成像 1 kV 500 V 最 好 的 低 电 压 性 能, 减少样品损失 + New built-in technologies Differential pumping, time-of-flight correction, fast switching for improved live process monitoring 15 FEI Com