氮化物半导体电子器件和材料新进展.doc

氮化物半导体电子器件与材料 研究新进展 郝 跃 西安电子科技大学 2014年5月 2014年5月 西安电子科技大学 1 目 录 一． 氮化物电子器件和材料体系 二． 高质量InAlN/GaN材料和器件 三． 晶格匹配的氮化物材料与器件 四． 进一步关注的器件和材料 五． 结论 2014年5月 西安电子科技大学 2 氮化物半导体优越的物理性质 GaN材料性质和高电子迁移率晶体管(HEMT)器件结构 源 栅 漏 AlGaN势垒层 二维电子气 GaN缓冲层 宽禁带宽度 高击穿场强 高电子饱和速度 高密度二维电子 高工作结温 高工作电压 高工作频率 高工作电流 氮化物半导体是高频率、大功率、高电压电子器件的理想技术 一、氮化物毫米波器件和材料体系 器件 加工 源极 栅极 漏极 半导体能带图 AlxGa1-xN 二维电子 材料 外延 生长 GaN 外延技术 AlGaN GaN Ef 衬底 ? GaN微波功率器件是在衬底材料上外延生长AlGaN/GaN材料。 ? 这种材料结构可以实现高密度和高迁移率(速度)的2DEG(正比 于Imax)，这是实现微波和大功率半导体器件的关键。 2014年5月 西安电子科技大学 4 氮化物半导体优越的物理性质 5 6 氮化物电子器件应用 氮化物电子器件应用 8 9 西电科大GaN材料和电子器件进展 宽带隙半导体技术国防重点学科实验室 宽禁带半导体技术教育部重点实验室 可靠性 器件 材料 ?GaN器件失效机 理分析 设备 ?GaN HEMT器件 ?GaN LED器件 ?可靠性加固技术 ?辐照效应与加固 ?2-4英寸GaN外延 ?低缺陷GaN外延 ?高阻GaN外延 ?高均匀性和重复性 ?新型材料结构 本实验室成果 AlGaN/GaN基高效率微波功率器件 1800 Source OHMC T-type FP Drain OHMC 700 1600 Ids(mA/mm) 1400 Gm(mS/mm) 600 1200 500 SiN 2 SiN 1 20nm Al0.3Ga0.7N 1nm AlN interlayer 2μm GaN buffer 100nm AlN nucleation layer Lg= 0.25 μm Gm= 650 mS/mm Imax= 1.6A/mm Wg= 10 mm 1000 800 600 400 200 0 VDS=10V 300 400 200 100 (a) 0 SiC Substrate -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 Vgs(V) 转移特性 Vgs Vds C1 R3 C6 C2 C5 RC network R2 C4 C3 GaN R1 Z1 Z HEMT 2 RFin RFout C0 C0 C7 Matching networks 放大器结构示意图 放大器实物图 脉冲测量功率测试结果（S波段） 60 100 50 100 45 Vds = 28 V, Freq = 2 GHz PW = 100 us, Duty = 10% 80 Vds = 28V, Pulse mode PAE 56 80 52 60 40 60 Pout PAE 48 40 35 40 Pout Gain Gain 44 20 30 20 40 0 25 0 20 22 24 26 28 30 32 Pin (dBm) 1.8 1.9 2.0 2.1 2.2 Freq (GHz) u Gain=15.9dB u Pout=70W u PAE=72.2% 在S波段内（1.8GHz~2.2GHz） ? Gain 15dB ? Pout 65W ? PAE 72% 60 100 55 Vds = 40 V, Freq= 5 GHz PW = 100 ?s, Duty = 10% 90 50 80 45 70 40 60 35 30 Pout(dBm) Gain(dB) 50 40 PAE(%) 25 30 20 20 15 10 10 0 20 22 24 26 28 30 32 34 Pin(dBm) 100 60 Vds = 40V, Pulse mode PAE 80 56 60 52 48 Pout Gain 44 4.8 4.9 5.0 5.1 5.2 Freq(GHz) 13 微波功率HEMT研究进展 GaN HEMT 各频段连续波输出功率特性 40 30 Cree(04) Cree(06) 输出功率密度 源漏电压U DS 功率附加效率PAE 140 120 100 20 西安电子科技大学(11) MIS-HEMT ETH-Zurich(13) PAE=73% Cornell HRL Univ.(02) (01) (07) 80 60 10 0 UCSB