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新型半导体材料SiC 精品文档 精品文档 收集于网络，如有侵权请联系管理员删除 收集于网络，如有侵权请联系管理员删除 精品文档 收集于网络，如有侵权请联系管理员删除 新型半导体材料SiC 结构及特性 使用 Si 器件的传统集成电路大都只能工作在 250℃ 以下，不能满足高温、高功率及高频等要求。SiC 具有独特的物理性质和电学性质，是实现高温、高频、抗辐射相结合器件的理想材料。从结构上来说，主要有两类：闪锌矿结构，简称3C β-SiC（3C-SiC:ABC’ABC…）;六角型或菱形结构，简称α-SiC（主要包括6H-SiC:ABCACB’ABCACB…; 4H-SiC: ABAC’ABAC…）。 ＊ A，B，C为Si-C四面体密堆积3种不同的位置 SiC 单位晶体结构 几种常见 SiC 晶体形态的对垒模型 相比Si及GaAs，SiC材料有绝缘破坏电场大、带隙大，导热率高、电子饱和速度快及迁移率高等特性参数，决定SiC功率元器件具有易降低导体电阻，高温下工作稳定及速度快等优势。然而目前SiC主要面临的挑战是出现电磁干扰(EMI) 问题及成本较高问题 特性参数  生产关键技术 SiC晶体生长 Sic具有高的化学和物理稳定性，使其高温单晶生长和化学处理非常困难。早期PVT法生长单晶：SiC源加热到2000℃以上，籽