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载选自 《集成电路制造工艺与工程应用》第三章第一节隔离技术
《集成电路制造工艺与工程应用》第三章第一节隔离技术
内容简述:
主要介绍集成电路隔离技术的发展过程,集成电路隔离技术从最初的PN 隔离技术
发展到LOCOS 和STI 隔离技术。
虽然PN 结隔离技术工艺制程简单、成本低、成品率高,但是利用PN 结隔离技术制
造的集成电路集成度非常低,结电容大和高频性能差,并且它会引起CMO
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