《集成电路制造工艺与工程应用》第三章第五节金属硅化物技术.pdf

载选自《集成电路制造工艺与工程应用》第三章第五节金属硅化物技术 1 《集成电路制造工艺与工程应用》第三章第五节：金属硅化物技术 金属硅化物工艺技术内容简述： 随着集成电路工艺制程技术的不断发展，为了提高集成电路的集成度，同时提升器 件的工作速度和降低它的功耗，半导体工艺的特征尺寸不断缩小，晶体管的栅、源和漏 有源区的尺寸也会相应缩小，而它们的等效串联电阻会相应变大，从而影响电路的速度。 为了改善等效串联电阻，半导体业界先后发展出金属硅化物工艺技术Polycide 和Salicide 。