《集成电路制造工艺与工程应用》第一章课件.pptx

崛起的CMOS工艺制程技术;典型工艺技术： 双极型工艺技术 PMOS工艺技术 NMOS工艺技术 CMOS工艺技术;双极型工艺技术;PMOS工艺技术;铝栅套刻不齐问题;NMOS工艺技术;多晶硅栅工艺技术;CMOS工艺技术;SOS CMOS集成电路和硅CMOS集成电路;特殊工艺技术： BiCOMS工艺技术 BCD工艺技术 HV - CMOS工艺技术 ;双极型集成电路功耗大和集成度低， 早期的CMOS工艺集成电路速度低、驱动能力差， 它们都无法满足VLSI系统集成多方面的发展需要。 BiCMOS（双极-互补金属氧化物半导体）工艺技术的特点： 将双极型器件和CMOS器件同时制造在同一芯片上； 综合双极型器件的高跨导、强驱动能力和CMOS器件的低功耗、高集成度的优点。 BiCMOS工艺集成电路的基本设计思想： 芯片内部核心逻辑部分采用CMOS器件为主要单元门电路； 而输出缓冲电路和驱动部分电路要求驱动大电容负载，所以输出缓冲电路和驱动部分电路使用双极型器件。 BiCMOS工艺技术主要用于RF电路、 LED控制驱动和IGBT控制驱动等芯片。;1986年，意法半导体(ST) 公司率先研制成功BCD工艺制程技术。 BCD（Bipolar CMOS DMOS）工艺技术的特点： 把BJT，CMOS和DMOS器件同时制作在同一芯片上； BCD工艺制程技术除了综合了双极器件的高跨导和强负载驱动能力，以及C