理学半导体三极管.pptxVIP

●;有NPN和PNP两种结构类型。核心部分都是两个PN结。 ;;内部条件 外部条件 发射结正偏，集电结反偏。 电路接法：共基接法。;发射区向基区注入电子的过程 电子在基区中的扩散过程 电子被集电极收集的过程 ;;本质： iB对iC或iE对iC的控制作用;PNP管与NPN管之间的差别： (1)电压极性不同。 (2)电流方向不同。 ;表示晶体管各极间电压和电流之间的关系曲线。;;内容回顾;;;;;发射极开路，集电极与基极之间加反向电压时产生的电流;PCM =iCuCE; 随信号频率升高而下降;●;; ;放大倍数 输入电阻 输出电阻 最大不失真输出电压幅值 非线性失真系数 最大输出功率和效率等;us;直流量：符号、下标均大写，如IB。 交流量：符号、下标均小写，如ib。 总瞬时值：符号小写，下标大写，如iB。;输入信号ui=0;IC;;;各处波形;结论： ;实现放大的条件 ;图解分析法：利用晶体管的特性曲线以及负载线等，用作图的方法直接描绘出各有关的电压、电流波形；;ui;⑵ 利用输入特性曲线来确定IBQ和UBEQ;⑶ 利用输出特性曲线确定UCEQ及ICQ ;输入交流信号ui≠0，此时电路中各处为直流与交流的叠加。;iB(μA);⑵ 利用输出特性画出iC和uCE波形 ;iC(mA);Rc阻值改变，其他参数不变;Rb改变，其他参数不变。;波形失真：信号经放大电路放大以后，输出波形与输入波形不完全一致。 非线性失真 (Nonlinear Distortion)：由于晶体管特性曲线非线性引起的波形失真。 非线性失真主要与静态工作点的位置和输入信号的幅值大小有关。 两种主要的非线性失真：截止失真和饱和失真。;原因：静态工作点设置偏低，输入信号ui的幅值相对较大。;原因：静态工作点设置偏高，输入信号ui的幅值相对较大。;输出端不发生饱和失真和截止失真时的最大输出信号电压的幅值，记作Uomax。;;用戴维南定理化简; 把工作在放大区的晶体管小范围的特性曲线近似地用直线来代替，从而用相应的线性等效电路来代替具有非线性特性的晶体管，然后运用电路理论进行分析计算。 ;UBE = 0.7V(硅) 或 UBE = 0.2V(锗);;⒈晶体管的输入电阻rbe;2.晶体管的电流放大系数β;c;放大倍数 输入电阻 输出电阻 最大不失真输出电压幅值 非线性失真系数 最大输???功率和效率等;微变等效电路 ;讨论：如何提高Au;考虑信号源内阻Rs时电压放大倍数的计算;输出信号电流与输入信号电流之比;输入电阻Ri;输出电阻Ro ;[例5-1] 在右图的阻容耦合共射级放大电路中，T为硅管，β=50，UCES=1V,。耦合电容C1,C2为大容量的电解电容。RS=100Ω，Rb=265kΩ，RC=3kΩ, RL=3kΩ,VCC=+6V (1)计算IBQ，ICQ，UCEQ (2)计算 ，Ri，Ro (3)计算Uomax ;②画出该电路的微变等效电路, C1C2相当于短路;[例5-1] 在右图的阻容耦合共射级放大电路中，T为硅管，β=50，UCES=1V,耦合电容C1,C2为大容量的电解电容。RS=100Ω, Rb=265kΩ, RC=3kΩ, RL=3kΩ, VCC=+6V (1)计算IBQ，ICQ，UCEQ (2)计算 ，Ri，Ro (3)计算Uomax ; (a)放大电路;③求最大不失真输出电压幅值。 ; ⒈放大器要求Q点稳定 ;●;采取措施;;IEQ主要由外电路的参数VCC、Rb1、Rb2、Re来确定，而与晶体管参数β、ICBO、UBE几乎无关。大大提高了静态工作点的稳定性。;如果电路参数满足稳定条件时可以近似估算。;;电容Ce对交流信号呈现很小的容抗，对交流电流近似起短路作用，所以电容Ce称为射极旁路电容。;有旁路电容Ce时;无旁路电容Ce时; 交流负载线：;;;⑤若换一个β=100的晶体管;利用二极管和热敏电阻等温度敏感元件的温度特性来补偿晶体管参数随温度的变化，从而使静态工作点趋于稳定。