112半导体器件培训资料.ppt

* 数学与计算机学院 * VGS ＜ VT，管子截止 VGS ＞VT，管子导通 VGS 越大，沟道越宽，电阻越小,在相同的漏源电压uDS作用下，漏极电流ID越大 N沟道增强型MOS管的基本特性 * 数学与计算机学院 * 转移特性曲线的斜率gm的大小反映了栅源电压VGS对漏极电流ID的控制作用。 gm 的量纲为mA/V，所以gm也称为跨导。跨导的定义 gm=?ID/?VGS? VDS=常数 (单位mS) ID=f(VGS)?VDS=常数 转移特性曲线 * 数学与计算机学院 * ID=f(VDS)?VGS=常数 输出特性曲线 * 数学与计算机学院 * 2 N沟道耗尽型MOSFET 耗尽型的MOS管VGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。 转移特性曲线 0 ID UGS VT * 数学与计算机学院 * 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS=0 UGS0 UGS0 * 数学与计算机学院 * 1.3.3 场效应管的参数 ① 开启电压VGS(th) (或VT) 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于 开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 ② 夹断电压VGS(off) (或VP) 夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VGS(off) 时,漏极电流为零。 ③ 饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管