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- 2020-05-30 发布于天津
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§2.3 MOS场效应晶体管;;MOS管结构;栅源电压VGS对iD的控制作用;漏源电压VDS对iD的控制作用;转移特性曲线;输出特性曲线;N沟道耗尽型MOS管;耗尽型与增强型MOS管的差异;PMOS场效应管;§2.4 结型场效应晶体管;工作原理;栅源电压对沟道的控制作用;漏源电压对沟道的控制作用;特性曲线;N
沟
道
增
强
型;绝缘栅场效应管;结型场效应管;;;;BJT与FET的比较;BJT与FET的比较;FET小信号等效电路
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