物理气相淀积.pptxVIP

物理气相淀积—PVD(physical vapor deposition)—利用某种物理过程（蒸发或溅射），实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，淀积成薄膜。 淀积特点：物理过程 技术： ①真空蒸发：优点：淀积速率较高，相对高的真空度，薄膜质量较好 缺点：台阶覆盖能力差，淀积多元化合金薄膜时，组分难以控制。 ②溅射：优点：化学成分易控制，淀积薄层与衬底附着性好。;5.1 真空蒸发的基本原理;5.1.1 真空蒸发设备;蒸发淀积过程 ①加热蒸发：加热蒸发源（固态），产生蒸气； ②输运：气化的原子、分子扩散到基片表面； ③淀积：气化的原子、分子在表面凝聚、成核、生长、成膜； 5.1.2 汽化热和蒸汽压 汽化热△H—使蒸发源材料的原子或分子克服固相（或液相）的原子束缚而蒸发到真空中，并形成具有一定动能的气相原子或分子所获得的能量。 △H—用来克服凝聚相中原子间的吸引力。 饱和蒸汽压P—一定温度下，真空室内蒸发物质的蒸汽与固态或液态平衡时所表现出来的压力。 净蒸发：分压﹤P 蒸发温度—规定在P=133.3×10-2Pa时的温度。;5.1.3 真空度与分子平均自由程;5.1.4 蒸发速率—蒸发源的温度影响最大;5.2 蒸发源;5.2.1 电阻加热源—利用电流通过加热源时产生的焦耳热来加热蒸发材料;2.蒸发材料对加热材料的“湿润性” “湿润性