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- 2020-06-03 发布于天津
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存储系统;需解决的主要问题:;单位;若一个块中有k个字,则传送这一块数据的时间是:;存储器的分类;2.按存储介质分类; 利用磁层上不同方向的磁化区域表示信息。容量大,非破坏性读出,长期保存信息,速度慢。作外存。;3.按存取方式分类;RAM;(2)顺序存取存储器(SAM);(3)直接存取存储器(DAM);主存储器的组成;主存储器的组成;半导体存储器;存储信息原理;1、T T L存储元 transistor-transistor logic;TTL原理:用两个双射极晶体管交叉反馈,构成双稳态电路。图中,T1,T2交叉反馈,构成双稳态电路,
???射极接字线Z,如果字线Z为低电平,可读/写,如果字线Z为高电平,则数据保持。
W和W是位线,数据通过W和W读出或写入。
定义:当T1通导而T2截止时,存储信息为0,
当T2通导而T1截止时,存储信息为1。
缺点:管子多,功耗大,集成度低
优点:速度快,非破坏性读出;TTL芯片举例;四个位平面的译码结构;一个位平面的译码结构;电路结构图;NMOS原理:T1与T3、T2与T4,分别是MOS反相器T3,T4
是负载管,这两个反相器交叉反馈,构成一个双稳态触
发器。T5,T6是控制门管,由字线控制它们的通断。
当字线Z为高电平, T5,T6导通,可读/写,如果字线Z
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