《太阳能电池基础与应用》太阳能电池第三章.docxVIP

第三章 pn结及其伏安特性 pn结的制备 3.1 pn结的基本原理 3.2 pn结电流电压特性 3.3 3.1 pn结的制备 在同一片半导体基片上，采用特殊制作工艺，分别制作p 型半导体和n 型半导体， 经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了pn 结。 半导体器件的基本单元，整流效应 本征半导体 扩散Ⅲ族 扩散V族 元素 元素 p-型 n-型 3.1 pn结的制备 3.1 pn结的制备 3.1 pn结的制备 3.1 pn结的制备 3.1 pn结的制备 3.1 pn结的制备 3.1 pn结的制备 突变结：PN结两区中 的杂质浓度为均匀分布， 且在交界面处发生杂质 突变。如果一区的杂质 浓度远高于另一区，称 为单边突变结 P+N或 N+P结。由合金、浅扩散 或低能离子注入形成。 线性缓变结：结附近，其杂质分布是缓变分布的，可以用直 线近似，其斜率称为杂质浓度梯度。由深扩散或高能离子注入 制得的结。 3.2 pn结的基本原理 漂移运动是电场力作用的结果 在没有电场作用时，半导体载流子是不规则的热运动，因而不形成电流。 当有电场时，半导体中的载流子将产生定向运动，称为漂移运动。 扩散运动是载流子浓度分布不均匀所至 在半导体受光照射或有载流子从外界注入时，使半导体内载流子浓度分布不 均匀。这时载流子便会从浓度高的区域向浓度低的区域运动。这种由于浓度 差而引起的定向运动，称为扩散运动。 因浓度差 ? 多子的扩散运动?形成空间电荷区 ? 空间电荷区形成内电场 ? ? 内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散 3.2 pn结的基本原理 漂移运动 内电场越强，就使漂移 运动越强，而漂移使空 间电荷区变薄。 内电场E － － － － － － + + + + + + － － － － － － + + + + + + N型半导体 P型半导体 － － － － － － + + + + + + － － － － － － + + + + + + 空间电荷区， 也称耗尽层。 扩散运动 扩散的结果是使空 间电荷区逐渐加宽， 空间电荷区越宽。 3.2 pn结的基本原理 空间电荷区中内 电场阻碍p中的 空穴、n区 中的 电子（都是多子） 向对方运动（扩 Ec Ef Ei 散运动）。 Ev 刚开始时，扩散运动强于漂移运动，使空间电荷区不断加宽，内建电 场也随之增强，这又使得漂移运动增强，阻止空间电荷区继续变宽， 最后当这两种运动达到平衡态时，内建电场不再变化，空间电荷区的 宽度稳定了，便形成了pn结。 3.2 pn结的基本原理 pn结接触电势差与势垒高度 从功函数的角度 分析pn结的形成 V bi ? 1 q ( ? ? ? p n ) ? 1 q n (E F ? p E F ) ? k T B q ? ? ? ln ? N N a 2 n i d ? ? ? ? 与二边掺杂有 关，与Eg有关 3.2 pn结的基本原理 pn结接触电势差与势垒高度 单从掺杂浓度的角度考虑，空间电荷区会落在那一边比较多？ 3.2 pn结的基本原理 空间电荷区电场、电势的分布及耗尽宽度的计算 求解半导体输运方程组，需要做一些假设： ? 半导体材料是理想的、高纯度的、不存在界面态； P型半导体界面和n型半导体界面是理想界面 ? 内建电压Vbi只存在pn结内部； 内建电压只存在于空间电荷区 ? pn结被划分为空间电荷区、电中性n型区和电中性p型区； 3.2 pn结的基本原理 空间电荷区电场、电势的分布及耗尽宽度的计算 (1)耗尽近似： ? 内建电场只存在于空间电荷 区，空间电荷区没有自由载 n 型 p型 电中 电中 性区 性区 衬底 流子，内建电场完全由掺杂 离子引起； ? 电中性区，没有内建电场， 多子浓度仍处于热平衡状态， 少子浓度的变化引起电流J; 空间电荷区 3.2 pn结的基本原理 空间电荷区电场、电势的分布及耗尽宽度的计算 根据耗尽近似， 空间电荷区的 n 型 p型 电中 电中 性区 性区 衬底 电场完全由掺 杂离子组成 内建电场电势 如何分布？有 泊松方程得出 ?fixed ? ?N ,? ? ? x ? a p 0 ?fixed ? N ,0 ? x ? ? d n 空间电荷区：n=0, p=0 3.2 pn结的基本原理 n型 p型 电中 电中 衬底 性区 性区 ?fixed ? N ,0 ? x ? ? d n ?fixed ? ?N ,? ? ? x ? a p 0 空间电荷区：n=0, p=0 3.2 pn结的基本原理 根据耗尽近似，p型 半导体和n型半导体 n型 p型 界面为理想界面， 电中 电中 衬底 性区 得出边界条件，即x 性区 ＝0处电势和电场 3.2 pn结的基本原理 方程 p型 电中 性区 n型 电中 性区 衬底 边界 条件 设为势能零