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CMOS门电路组成的多谐振荡器结构和原理
一种由CMOS门电路组成的多谐振荡器如图1所示。其原理图和工作波形分别如图2(a)、(b)所示。图(a)中D1、D2、D3、D4均为保护二极管。
CMOS门电路组成的多谐振荡器结构
图1 由CMOS门电路组成的多谐振荡器
CMOS门电路组成的多谐振荡器原理
为了讨论方便,在电路分析中,假定门电路的电压传输特性曲线为理想化的折线,即开门电平(VON) 和关门电平(VOFF)相等,这个理想化的开门电平或关门电平称为门坎电平(或阈值电平),记为Vth且设Vth=VDD/2。
(1)第一暂稳态及电路自动翻转的过程
假定在t=0时接通电源,电容C尚未充电,电路初始状态为vO1=VOH,
v1=vO2=VOL 状态,即第一暂稳态。此时,电源VDD经G1的TP管、R和G2的TN管给电容C充电,如图10.1.2(a)所示。随着充电时间的增加,v1的值不断上升,当v1达到Vth时,电路发生下述正反馈过程:
这一正反馈过程瞬间完成,使vO1=VOL??vO2=VOH,电路进入第二暂稳态。
??(a)多谐振荡器原理图 ????
(b)多谐振荡器波形图?
图2 多谐振荡器原理图和波形
(2)第二暂稳态及电路自动翻转的过程
电路进入第二暂稳态瞬间,v02由0V上跳至VDD,由于电容两端电压不断突变,则v1也将上跳VDD,本应升至VDD+Vth ,但由于保护二极管的钳位作用,v1仅上跳至VDD+△V+。随后,电容C通过G2的TP、电阻R 和G1的TN放电,使v1下降,当v1降至Vth后,电路又产生如下正反馈过程:
从而使电路又回到第一暂稳态,vO1=VOH,vO2=VOL。此后,电路重复上述过程,周而复始的从一个暂稳态翻转到另一个暂稳态,在G2的输出端得到方波。
由上述分析不难看出,多谐振荡器的两个暂稳态的转换过程是通过电容C充、放电作用来实现的
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