第7章MEMS工艺(体硅微加工技术).pptxVIP

第7章MEMS工艺——体硅微加工工艺（腐蚀）;内容;腐蚀工艺简介;大部分的微加工工艺基于“Top-Down”的加工思想。 “Top-Down”加工思想：通过去掉多余材料的方法，实现结构的加工。（雕刻——泥人）;;图形工艺 掩模图形生成 台阶结构生成 衬底去除 牺牲层去除 清洁表面 ;;湿法腐蚀;湿法腐蚀——方向性;各向异性腐蚀和各向同性腐蚀;硅的各向异性腐蚀;硅的各向异性腐蚀技术;湿法腐蚀的化学物理机制;湿法腐蚀的化学物理机制;硅腐蚀机理（P62） ;;;;各向异性腐蚀的特点： 腐蚀速率比各项同性腐蚀慢，速率仅能达到1um/min 腐蚀速率受温度影响 在腐蚀过程中需要将温度升高到100℃左右，从而影响到许多光刻胶的使用;各向异性腐蚀液;1.KOH system;1.KOH system;KOH的刻蚀机理;2.EDP system;2.EDP system;EDP腐蚀条件;3、N2H4 （联氨、无水肼）;4、TMAH ;腐蚀设备;硅和硅氧化物典型的腐蚀速率 ;影响腐蚀质量因素;Etching Bulk Silicon ;车轮法来测量平面上不同晶向的腐蚀速率（有局限性） 更准确的反映腐蚀各向异性的是球形法（正相或负相）;;?111?面凹角停止;(1) 溶液及配比 ;(2) 温度;各向同性腐蚀;优点： 无尖角， 较低应力 刻蚀速度快 可用光刻胶掩膜;三、自停止腐蚀技术;（1） 重掺