第5章存储器技术复习课程.pptVIP

第 5 章 存储器技术;除采用磁、光原理的辅存外，其它存储器主要都是采用半导体存储器 本章介绍采用半导体存储器及其组成主存的方法;第 5 章 存储器技术;第 5 章 存储器技术;按制造工艺 双极型：速度快、集成度低、功耗大 MOS型：速度慢、集成度高、功耗低 按使用属性 随机存取存储器RAM：可读可写、断电丢失 只读存储器ROM：正常只读、断电不丢失;半导体 存储器;读写存储器RAM;只读存储器ROM;5.2 RAM芯片的结构与工作原理;二、单管动态RAM的基本存储电路 基本存储电路是半导体存储器的存储基元，用来存 储一位二进制信息（0或1），是组成存储器的基础。 以单管结构为例，说 明DRAM的基本存储 电路的工作原理。 ;—RAM芯片的内部结构;片选和读写控制逻辑;5.2 随机存取存储器;5.2 RAM典型芯片—静态RAM（SRAM）;SRAM芯片2114;SRAM芯片6264;SRAM 6116引脚排列图;DRAM的基本存储单元是单个场效应管及其极间电容 必须配备“读出再生放大电路”进行刷新 每次同时对一行的存储单元进行刷新 每个基本存储单元存储二进制数一位 许多个基本存储单元形成行列存储矩阵 DRAM一般采用“位结构”存储体： 每个存储单元存放一位 需要8个存储芯片构成一个字节单元 每个字节存储单元具有一个地址;DRAM芯片4116;DRAM芯片2164;5.3 ROM芯片的结构与工作原理;EPROM EPROM 2716 EPROM 2764 EPROM 2732A;5.3 EPROM;EPROM芯片2716;EPROM芯片2764;EPROM芯片27256;5.3.2 EEPROM;EEPROM芯片2817A;EEPROM芯片2864A;5.4 存储器接口技术;5.4.1 存储芯片与CPU的连接;1. 存储芯片数据线的处理;位扩充;2. 存储芯片地址线的连接;片内译码;3. 存储芯片片选端的译码;地址扩充（字扩充）;⑴ 译码和译码器;⑵ 全译码;全译码示例;⑶ 部分译码;部分译码示例;⑷ 线选译码;线选译码示例;片选端译码小结;4. 存储芯片的读写控制;5.4.2 存储芯片与CPU的配合;1. 总线驱动;2. 时序配合;存储器系统设计举例;8088CPU D0~D7;EX2：在寻址空间为64KB的8位微型计算机中，存储器连接如图所示，请写出每片2716存储器的地址范围。;EX3：在寻址空间为64KB的8位微型计算机中，设计一个8KB的存储器系统， 要求EPROM区域为4KB，从0000H开始，采用2716芯片（2K×8bit）； SRAM区域为4KB，从2000H开始，采用6116芯片（2K×8bit）。 ;EX4：在8086CPU最小模式方式下，设计一个32KB的存储器系统，要求EPROM区域为16KB，从00000H开始，采用2764芯片（8K×8bit）；SRAM区域为16KB，从04000H开始，采用6264芯片（8K×8bit）。 ;32K×8的SRAM芯片62256;SRAM 2114的功能;SRAM 6264的功能;EPROM 2716的功能;EPROM 2764的功能;EEPROM 2817A的功能;EEPROM 2864A的功能;门电路译码;译码器74LS138