第九章 半导体存储器教学教案.pptVIP

2. RAM2114芯片简介 ① 存储容量:1024字节×4位=1K×4位=4K位 ② 地址线为:A9~A0 , 10根。 行地址： A8~A3 （26=64行）； 列地址： A0~A2 ， A9（24=16列）,每列=4位 ; 26 ×（4 × 24）= 64 × 64 =4096个存储单元 结构 ③ 数据线4根： D3 ~ D0 ； 扩展的方法有两种： 位扩展 和 字扩展 。 RAM芯片的种类很多,容量有大?有小。当一片RAM不能满足存储容量及其位数要求时，可将多个芯片适当连接起来实现位和字的扩展。 1. 位扩展(位数不够用,字数足够用) 例一:采用2片2114 （1024×4位）芯片，并联在一起，构成 1024 ×8位的存储器。 2. 字扩展（字数不够用，位数够用） 例二：用一片2/4译码器和四片2114实现 4096字节×4位的存储器。 强调：位扩展不需要增加地址线， 而字扩展则需要增加地址线数。 例三：试用1K × 4位的2114RAM扩展一个 4K × 8位的存储器。 解:（1）确定芯片数N： N= （ 4K / 1K ）× （ 8 / 4） = 8（片） （2）确定地址系数D： 2D=4096 ，D =12 。 （3）用8片1K × 4位的2114RAM芯片，经 字 位 扩展构成的存储器，如图9.2.8 所示。 例四：用PROM和DFF设计一个F=000011的计数型序列码发生器（设初态为Q3Q2Q1=000）。 解： * 第9章 半导体存储器 数字电路与逻辑设计B 第九章 半导体存储器 第9章 半导体存储器 一. 半导体存储器概念 2.存取速度 三. 分类 二. 重要指标 1.存储量 1.按存取方式分类 9.1 只读存储器（ROM） 2.按使用器件类型来分 一. ROM的分类 1.按存储内容写入方式来分 四. ROM的逻辑关系 二. ROM的结构 三. ROM的工作原理 1.属于组合逻辑电路 2.阵列图 9.2 随机存储器(RAM) 1.位扩展 一. 静态RAM(SRAM) 二. 存储容量的扩展 2.字扩展 三. 动态RAM(DRAM) 第九章 半导体存储器 一. 半导体存储器概念： 随着微电子技术的提高,大规模集成电路(LSI)发展很快,近年来集成电路几乎以每年提高一倍的速度向前发展。 存储器是电子计算机及数字系统中不可缺少的部分，用来存放二进制代码表示的数据?系统指令?资料及运算程序等。 二. 存储器的主要指标 存储容量 和 工作速度 1. 存储容量 存储容量是衡量工作能力大小的指标,容量越大,存储的信息越多,工作能力越强。 存储容量用存储单元的总数表示。习惯上常用若干个“K”单元表示。例如： 210=1024 称 1K单元 ， 212=4096 称 4K单元。 在数字系统中，数据和指令通常用一定位数的字来表示，字的位数称为字长。故存储容量为： 字（字位） × m位（位）。 例如：1024字 × 8位 ?可写为“1K字×8位”，这说明它能存放1024个8位的数据。 2. 存取速度(工作速度) ★存取速度用存取周期表示。 从存储器开始存取第一个字到能够存取第二个字为止。所需的时间称为存取时间或存取周期。它是衡量存储器存取速度的重要指标。 ★存取周期越短，说明存取速度越高。 双极型存储器的存取周期为：20 ~ 50 ns， MOS存储器的存取周期为：100 ~ 300 ns。 三. 存储器的分类 分类方法有两种：功能分类和工艺分类。 1. 按功能分类 ROM 固定ROM:内容由厂家制作。ROM 可编程ROM：可一次性编程。PROM 可擦除可编程ROM：可多次改写 EPROM RAM 双极型 RAM 单极型 （MOS） SRAM（静态） DRAM（动态） SAM MOS移位寄存器 电荷耦合器件CCD移位寄存器 Cache 高速缓存 E2PROM UVEPROM 2. 按工艺分类 电荷耦合器件（CCD）：是一种新型存储器件，其制造工艺简单，集成度比MOS更高，工作速度与MOS型相当。 双