EDA技术实用教程课件第一章可编程逻辑器件简介.pptxVIP

第1章 可编程逻辑器件简介;1.1可编程逻辑器件（PLD)的分类;逻辑符号说明;异或门；　　　　　 同或门 ;基本门电路的PLD表示法 ;图 与门表示法 ;图 PLD连接法 ;1.2可编程逻辑器件发展1.2.1可编程只读存储器PROM;ROM的数据表;W0;基于三级管的一次性可编程PROM单元;EPROM用编程器烧录;可擦除的PROM;① EPROM的存储单元采用浮栅雪崩注入MOS管(FAMOS管)或叠栅注入MOS管(SIMOS)。 图 是SIMOS管的结构示意图和符号，它是一个N沟道增强型的MOS管，有Gf和Gc两个栅极。Gf栅没有引出线，而是被包围在二氧化硅(SiO2)中，称之为浮???，Gc为控制栅，它有引出线。若在漏极D端加上约几十伏的脉冲电压，使得沟道中的电场足够强，则会造成雪崩，产生很多高能量的电子。此时若在Gc上加高压正脉冲，形成方向与沟道垂直的电场，便可以使沟道中的电子穿过氧化层面注入到Gf，于是Gf栅上积累了负电荷。由于Gf栅周围都是绝缘的二氧化硅，泄漏电流很小，所以一旦电子注入到浮栅之后，就能保存相当长时间(通常浮栅上的电荷10年才损失30%)。;图 SIMOS管的结构和符号 ;② E2PROM的存储单元如图 所示，图中称为浮栅隧道氧化层MOS管(Flotox)，其结构如图 9-10 所示。Flotox管的浮栅与漏极区(N+)之间有一小块面积极薄的二氧化硅绝