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第17章　离子注入;掺杂原因：;本章目标;具有掺杂区的CMOS结构;CMOS制作中的一般掺杂工艺;离子注入在硅片流程中;在硅片中的掺杂区;17.2 扩 散;硅中的杂质扩散;扩散原理;扩散时质量守衡，J随时间变化与随空间变化相同－－连续性方程;扩散系数与温度有关;硅中的固溶度极限 1100°C;扩散工艺;扩散常用杂质源;17.3 离子注入;控制掺杂浓度、深度;离子注入机示意图;离子注入机;离子注入的优点;缺点;射程;离子注入机的种类;杂质离子的射程和投影射程;投影射程图;注入杂质能量损失;Crystal Damage Due to Light and Heavy Ions;17.4 离子注入机;离子源和吸极装配图;Bernas 离子源装配图;离子源和吸极交互作用装配图;分析磁体;9.2.1 硅片制造厂的分区概述—离子注入;离子注入机分析磁体;加速管;剂量与能量图;高能注入机的线性加速器;空间电荷中和;中性束流陷阱;硅片的静电离子束扫描;注入阴影效应;离子注入硅片的机械扫描;控制硅片充电的电子喷淋;控制硅片充电的等离子体喷淋;离子注入机的终端台;注入工艺腔的硅片传送器;法拉第杯电流测量;硅单晶的退火;退火;沿 110 轴的硅晶格视图;离子入射角与沟道;来自颗粒沾污的注入损伤;17.5离子注入的发展趋势;1 深埋层;2 倒掺杂阱 Retrograde Well;3 穿通阻挡层