4晶体管和放大作用教学材料.pptVIP

IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 测量电路 晶体管和放大作用 4 ——使用是否得当取决于对电路的理解程度 IC (或IE )?IB 这就是晶体管的 电流放大作用 2）晶体管放大的外部条件 1）放大原理 直流电流放大系数 交流电流放大系数 正偏 反偏 发射结 集电结 （1）输入特性 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V 锗管UBE?0.2~0.3V 3）输入输出特性 死区电压:硅管 0.5V 锗管 0.1V IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，hfeIBIC，UCE?0.3V称为饱和区。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。 4）、 主要参数 共射直流电流放大倍数： a.电流放大倍数 三种接法： 共射交流电流放大倍数： 工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?IC。 共射 共基 共集