射频模拟电路习题解答.docxVIP

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射频模拟电路 习题解答 张玉兴杨玉梅编 电子工程学院 二零零三年十二月 习题一 1设计一个并联谐振回路,已知谐振频率 fp = 1MHz,要求对990kHz的干 g 扰信号有足够的抑制( 0.1)。设信号源内阻Rs 50 ,负载电阻Rl 2k 。 g解:0.1 g 解: 0.1 f f0 f1 10kHz Ql 497.5 2 Is Is 2 Is Is/ P1 Rs Rs / P1 Rl 2 Rl / P2 P1 C2 P2 L1 L1 L2 取L 50uH则C507 pF 取L 50uH则C 507 pF Ql 1 497.5 PL(GP Gs GL) Gs 0.02s Gl 0.5 10 3s 设 p1 Gp 6 1.2 10 s RP L Cr 0.833 2L Gp p2Gs P;Gl 6.4 10 6s 0.01 p2 0.08 6 10 r 0.12 讨论:1 讨论:1)L、C不合理,真正的LC回路达不到 0.1的抑制比; 2)可采用其它形式的谐振回路。 — 2有一个并联谐振回路工作于中波频段 535kHz— 1605kHz。现有两个可变 电容,一个变化范围为12pF— 100pF,另一个为15 pF— 450pF。试问: 应采用哪种可变电容?为什么? 回路电感L = ? 为保证足够的频率刻度精度,实际的并联谐振回路应如何设计 ? 解:f0 2「LC则可变电容的选择应满足max1605 103min535 103C3 9Cmin电容1:金100 解:f0 2「LC 则可变电容的选择应满足 max 1605 103 min 535 103 C 3 9 C min 电容 1:金100 9电容2: Cmin 12 Cmax 450 Cmin 15 30 9 选择 15pF — 450pF的可 变电容是 恰当的,同时考虑到 频率在 535kHz — 1605kHz波段内变化,因此选择一电容 Cx与可变电容15pF—450pF并联以满 Cmax Cx 3 电阻相并!!! Cx Cmax 匹皿 min \ Cmin 6 9 1 39.37pF min 选 Cx 40pF 1 1 (2 fmax)2(Cmin C%) (21605 1O‘)2(15 40) 10 12 179 口 H L - (2 fmin) (Cmax Cx) 1,此时C 1 ,此时C j wCx 调到200pF时重新谐振,C两端电压变成2.5V 求电感L,回路空载品质因数 3串联回路如习图1 — 1所示,将11端短路,C调到100PF时谐振,电容 C两端的电压为10V,如11端串接入阻抗 乙乙,已知Zx rx Q0及乙。 解:1)11端短路时,谐振12 (2 f。)C16 2 12(2 10 ) 100 10Q0Vc 10Vs 解: 1)11端短路时,谐振 1 2 (2 f。)C 1 6 2 12 (2 10 ) 100 10 Q0 Vc 10 Vs 0.1 100品质因数 2) 1 Q0 0C 1 右 15.9 100 2 1 06 1 00 1 0 12 11端串接乙rx 1 ,L,f。均不变 j 3C CgCx 100pFCx 200pF C Cx C 200 接入后,VC=2.5V,因此%=狄=而 Ql 比 50 Vs 0.1 」 61 衣31.8 Ql 0C 50 2 1 06 1 00 1 0 12 253 ^H 2.5V=5V rx 15.9 4 如习图 1— 2 所示,已知 L=0.8 口H, Qo 100 , Ci = C2= 20pF, G=1pF , P 0.5 , R=10k Q , 5=1pF, RL=5k Q。试计算回路谐振频率、谐振电阻 Rp、 有载Ql值和通频带 解:°走。.5对比第一题 Rl —y 20k CL P;CL 0.25 pF Pi Rl 2 R 2 40k Ci p Cl 0.25 pF Is pls 0.51s p 并联谐振回路的总电容C C先C; 10.5pF f。 1 1 -54.9MHz 2 , LC 2 Q8 106 10.5 10 12 Q° Rp Q0 0L 100 2 54.9 10 6 0.8 10 6 27.6k 0L 1 1 1 1 1 1 g 瓦 rp rL 40 103 27.6 103 3 0.111ms 20 103 11 1 1 11 1 1 Ql 0L 3 0.111 10 2__54.9 106 0.8 10 6 32.64 2 f0.707 54.9 106 32.64 1.68MHz 1 — 5已知习图 1 — 3 中, p 1MHz , C=100pF , R; 50 , Q0 300 , 10kHz条件下输入匹配。试求 P1 和 P2。 解:

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