Q_DXSJJ 0018-20186英寸高纯半绝缘碳化硅单晶片包裹物密度检测方法.pdf

ICS 29.045 Q/DX H 80/84 北京世纪金光半导体有限公司企业标准 Q/DXSJJ 0018—2018 6 英寸高纯半绝缘碳化硅单晶片 包裹物密度检测方法 2018－10－09 发布 2018－11－20 实施 北京世纪金光半导体有限公司 批准 Q/DXSJJ 0018-2018 前 言 本标准按照GB/T 1.1-2009 给出的规则起草。 本标准起草单位：北京世纪金光半导体有限公司。 本标准主要起草人：何丽娟。 I Q/DXSJJ 0018-2018 6 英寸高纯半绝缘碳化硅单晶片包裹物密度检测方法 1 原理 本标准规定了6 英寸高纯半绝缘碳化硅单晶片包裹物密度的无损光学测试方法。 2 方法原理 该测试方法是利用激光扫描样品的整个表面，通过4 个频道（散射光频道、反射光频道、 相移频道及Z 频道）的探测器所收集到的信号，快速的将缺陷（包括包裹物、颗粒、划伤、 微管、六方空洞等）进行分类，统计每一种缺陷的数量并且量测出相应的缺陷尺寸，最后给 出整个表面的缺陷分布图。根据预先设定的缺陷标准，可以给出检测样品合格与否的判定。 图1 扫描表面检查系统测试原理图 3 要求 3.1 设备要求 测试系统构成及系统设备要求： a) 具有多频道的缺陷扫描系统和缺陷分析系统； b) 能够对晶片进行全表面扫描。 3.2 环境要求 测试的环境（洁净室）要求如下： a) 环境温度：15℃-35℃； b) 相对湿度：20%-80% ； c) 洁净度：100级或以上。 3.3 样品要求 测试样片应为单面抛光或双面抛光的碳化硅单晶片，样品表面法线方向为0001方向， 1 Q/DXSJJ 0018-2018 且其偏离角不应大于±8°。 样品放置于卡塞中，硅面朝卡塞的U 端，并去除5mm 宽的边缘区域。 4 测试程序 4.1 测试系统准备 正式测试前，检查确定测试系统各仪器处于良好状态。被测晶片必须清洗干净并甩干。 系统默认将碳化硅晶片划分为2x2mm 的方格，使用Candela 进行表面缺陷测试，测试项目： 包裹物Inclusion。 4.2 测试步骤 a) 确认扫描表面检查系统处于正常工作状态； b) 根据测试要求设定相应的测试程序，包括缺陷的阈值、分类、边缘去除量等设置； c) 将待测样片放置在指定位置，由机械传输将样片移到激光扫描区； d) 激光束对样片进行扫描和信号探测。 4.2 缺陷信号处理 a) 对收集到的整个晶片的每个信号通道分别设定信号阈值，每个通道中高于阈值的信 号皆为潜在缺陷，低于阈值的为噪声。缺陷数目按照信号方式对应统计。 b) 根据不同缺陷在不同信号通道的程度，结合缺陷图谱，从缺陷检查通道、缺陷形状、 缺陷大小、长宽比、面积占比、方向性、信号强度、不同通道信号比值等进行分类。 c) 满足分类条件的缺陷由软件自动归为某种缺陷类别。缺陷统计是采用从上而下的依 次排除方式，即已经分出的缺陷不会参与后续分类，以避免重复统计。 d) 缺陷归类统计与晶片扫描同时进行。缺陷统计方法必须是软件自动统计。 e) 扫描结束，得到晶片上一系列缺陷分布图和数目统计，包