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微电子制造技术
第章
光刻:对准和曝光
概述
对准就是把所需图形在硅片表面上定位或对
准。而曝光是通过曝光灯或其它辐射源将图形转
移到光刻胶涂层上。如果说光刻胶是光刻工艺的
“材料”核心,那么对准和曝光则是该工艺的“
设备”核心。图形的准确对准是保证器件和电路
正常工作的决定性因素之一。
因为最终的图形是用多个掩膜版按照特定的
顺序在晶园表面一层一层叠加建立起来的。图形
定位的要求就好像是一幢建筑物每一层之间所要
求的正确对准。如果每一次的定位不准,将会导
致成品率下降或者整个电路失效。
微电子制造技术
电信学院微电子学系2
掩膜版上设计的每一层图形都有一个特
殊功能,如接触孔、MOS的源漏区或金属线等
光刻过程中掩膜版把这些图形彼此套准来
制成硅片上的器件或电路。版图套准过程有
对准规范,就是前面提出的套准容差。怎样
精确地把亚微米尺寸套准,对光学光刻提出
了特殊的对准挑战
微电子制造技术
电信学院微电子学系3
学习目标
1.解释光刻中对准和曝光的目的;
2.描述光刻中光的特性及光源的重要性;
3.了解光学系统对光刻工艺的重要性
4.解释分辨率,说明它对光刻的重要性:
5.了解光刻中获得精确对准的方法。
微电子制造技术
电信学院微电子学系4
UV光源
快门
对准曝光
快门在聚焦和对准过程
闭合,而在曝光过程
投影掩膜版(在投影掩
膜版视场内可能包含
个或多个芯片)
投影透镜(缩小的投影掩
膜版的视场到片表面)
单视场曝光,包括:聚焦
步进和重
承片台在X,Y,Z,
方向控制硅片的
位置
gure 14.l掩模版图型转移到光刻胶上
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电信学院微电子学系5
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