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引言
开关电源 (SwitchingPowerSupply)自问世以来,就以其稳定、高效、节能等优良性能而
成为稳压电源的主要产品。而高度集成化的单片开关电源,更是因其高性价比、简单的外围
电路、小体积与重量和无工频变压器隔离方式等上风而成为稳压电源中的佼佼者,在工控领
域应用广泛。随着各种不同的单片开关电源芯片及其电路拓扑的应用和推广,单片开关电源
越来越体现出巨大的实用价值和美好远景。但是,TOPSwitch 通常答应的输进电压变化范围
为 120~370V,本文尝试用它制作更宽输进电压变化范围(80~550V)的稳压电源。实验结果
证实是很成功的。
1、芯片结构及稳压原理
近十几年来,美国电源集成公司 (PI)、摩托罗拉公司(Motorola)、意-法半导体公司
(SGS-Thomson)、美国 Onsemi 公司等相继推出了 TOPSwitch,MC,L4970,NCP1000 等不同系
列的单片开关电源产品。由于 TOPSwitch 系列产品性能稳定,价格实惠,故本文选择该系列
中的一种芯片为核心设计制作了一种输进范围极宽的稳压电源。该电源输进直流电压范围为
80~550V,输出直流电压 20V,输出功率 20W。
TOPSwitch 不论是三脚封装,还是 DIP-8 或 SMB-8 封装,实在质都是三端器件,分别为
控制端 C(Control)、源极 S(Source)、漏极D(Drain)。控制真个主要作用是,根据其电流 Ic
来自动调节占空比,当 Ic 变化时,占空比就在一定范围内变化。源极 S 与芯片内部功率 MOS
管源极相连,并作为低级电路的公共地。漏极 D 与芯片内部功率 MOS 管的漏极相连。
TOPSwitch 主要包括控制电压源、高压电流源、关断/ 自动重启动电路、并联调整器/误
差放大器、带隙基准电压源、过热保护及上电复位电路、过流保护电路、振荡器、脉宽调制
器、门驱动级和输出级等 10 个部分。其内部结构框图如图 1 所示。
TOPSwitch 的额定开关频率为 100kHz,答应工作范围 90~110kHz。
TOPSwitch 的稳压原理是通过反馈电流(即控制端电流)Ic 来自动调节占空比,从而实现
稳压。例如,当输出电压上升时,反馈电流随之上升,占空比呈反向变化而下降,导致输出
电压也随之下降,从而保证输出电压的稳定。反之亦然。
2、电路图及工作原理
由 TOPSwitch 构成的单片开关电源如图 2 所示,是典型的单端反激式开关电源。
图 2 中T 为三绕组高频变压器,工作频率为 100kHz。3 个绕组分别为:Np 原边绕组(65
匝);Ns 副边绕组(即输出绕组,13 匝);Nf 反馈绕组 (8匝);各绕组同名端在图 2 中已标出。
变压器中能量传递过程为:当 TOPSwitch 中的功率MOSFET 导通时,变压器原边绕组储存能
量;当功率MOSFET 关断时,原边绕组中储存的能量传递给副边绕组和反馈绕组,经高频整流
滤波后即可提供直流输出电压和反馈电压。
DZ1,D1 和 R1,C2 组成了漏极箝位电路和能量吸收回路,用以限制 TOPSwitch 漏极因
高频变压器的漏感而可能产生的尖峰电压。DZ1 选用 P6KE200A 型瞬态电压抑制器(TVS),其
反向击穿电压为 200V。D1 选用 MUR160 型超快恢复二极管,其最大反向耐压值为 600V。由
于 TOPSwitch 的漏—源极最小击穿电压为 700V,而当其功率MOSFET 关断时,变压器原边的
直流输进电压、原边绕组的感应电压以及由变压器的漏感而产生的尖峰电压,三者叠加在一
起,其值可能超过 700V,故必须在TOPSwitch 的漏极增加箝位电路和吸收电路,用以保护
功率 MOSFET 不被损坏。
C3 为 TOPSwitch 控制真个旁路电容,其作用是对控制电路进行补偿,并能设定自动重
启动频率。电路中所选参数值已将自动重启动频率设定为 1.2Hz。
D2 及 D3 为高频输出整流二极管,其中 D2 为 MUR420 型超快恢复二极管,其最大反向工
作电压为 200V,额定整流电流为4A;D3 为 1N4148 型玻封高速开关二极管,其最大反向工作
电压75V,均匀整流电流 150mA。
L1 为滤波电感,其值约为20μH,是由非晶合金磁性材料制成的穿心电感,俗称 “磁
珠”。其作用是滤除D2 在反向恢复过程中产生的开关噪声。
DZ2 及 DZ3 为稳压管,型号为 2CW346。IC2 为线性光耦合器,型号为 PC817A,其内部发
光二极管的导通压降约
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