功率半导体器件的直接均流技术.pdfVIP

功率半导体器件的直接均流技术 (1) （）(2) （2） (1) （2） 高占成 矫 健 1 揣荣岩 潘福泉 （1）北京东菱宏博电气科技发展有限公司 北京 100054 （2）沈阳工业大学信息科学与工程学院 沈阳 110870 摘 要：在认真研究双极注入型功率半导体器件通态特性的基础上，结合装 置整机厂的并联技术经验，从器件角度，提出了功率半导体器件的直接均流 技术，这一技术已得到了成功验证。 关键词：功率半导体器件、双极注入型、通态特性、 门槛电压、 直接均流 技术 0 引言 无论是基础功率半导体器件如：整流二极管（Rectifier diodes 简称 RD，含快恢复整流二极管FRD）、晶闸管(SCR，含快速、高频晶闸管)、双向 晶闸管（Triac）、逆导晶闸管（RCT）等，还是新型功率半导体器件如：门 极关断晶闸管（GTO）、门极换流晶闸管（GCT）、集成门极换流晶闸管（IGCT） 等，甚至是绝缘栅双极晶体管（IGBT），由于这些器件都属于双极注入器件， 故其通态特性最后都归结到PiN 功率二极管的通态特性上来。 在实际应用中，往往有多个器件的并联问题，而并联的核心就是均流， 说到底是一个PiN 功率二极管的通态特性问题。将PiN 功率二极管的通态特 性认真研究清楚了，不用任何特殊均流措施的直接均流问题就解决好了。PiN 功率二极管的通态特性研究清楚了， 直接均流问题解决好了，就不难推广 到FRD、SCR 甚至是GTO、GCT、IGCT 等的直接并联均流。届时将着眼点仅仅 集中到些微差别上也就足够了。然而国内的许多现实令人遗憾：在一些人的 眼里连晶闸管都早已研究过了，，哪里还谈得上最简单的 PiN 功率二极管的 再研究呢? 【1】 国际上先进的半导体厂家都投入巨大资金重新研究新型功率二极管 ， 其道理在哪里呢？。①前期的蓬勃发展的高频自关断器件的研究（即所谓安 全运行区的问题）已解决得很有成果（如成功开发并大规模应用了 IGBT 和 IGCT 等），然而所有这些新型功率半导体器件的应用又是绝对离不开PiN 功 率二极管的进步的(如超快软恢复功率二极管的研发和应用等)，这是国际上 先进的半导体厂家投入巨大资金重新研究新型功率二极管的主要原因；②其 次，许多新型功率二极管器件又独自踏入当前的先进科学技术中，极大地推 动了现代基础工业的进程(如电阻型电焊机专用超大电流密度整流二极管对 电焊机行业、高频电镀专用高频整流二极管对电化学行业、车用雪崩整流二 极管对汽车行业等等)。 国际电力电子科学技术发展的实践表明，花大气力出重拳跟上当前国际 先进科学技术的步伐，重新开展基础功率半导体新器件的研究是多么必要。 我们的功率半导体器件的直接均流技术的研究，就是在PiN 功率二极管的直 接均流技术研究的基础上展开的，也是这个研究洪流中的有实际意义的一部 分。 1，并联均流中问题的回顾 以往功率半导体器件并联均流技术的研究多半是由整机装置厂进行的。 要么是电流容量太大，要么是装置可靠性高，不允许中途停电等，因此都必 【】 2 须要多个器件并联 。 【】【 】 3 5 并联均流技术主要解决的是电流平衡度的问题，既 ： ①并联器件同时触发开通; ②电流上升或下降时的电流平衡度; ③正常导通时的电流平衡度，这是并联均流的主要部分; ④母线、器件、柜体配置及相应磁场对电流平衡度的影响，也必须认真解决 好。 【】 【】 3 ~ 5 主要由装置整机厂给出的诊断方法有 ： ①采用