半导体物理习题问题详解.pdfVIP

实用标准 第一章半导体中的电子状态 例 1. 证明 : 对于能带中的电子， K 状态和 -K 状态的电子速度大小相 等 , 方向相反。即： v(k)= －v( －k) ，并解释为什么无外场时，晶体 总电流等于零。 解： K状态电子的速度为： （1） 同理，－ K 状态电子的速度则为： （2 ） 从一维情况容易看出： （3 ） 同理 有： （4） 文档大全 实用标准 （5） 将式（ 3）（4 ）（5）代入式（ 2 ）后得： （6 ） 利用（ 1）式即得： v( －k)= －v(k) 因为电子占据某个状态的几率只 同该状态的能量有关，即： E(k)=E( －k) 故电子占有 k 状态和 -k 状态 的几率相同，且 v(k)= －v( －k) 故这两个状态上的电子电流相互抵消， 晶体中总电流为零。 例 2. 已知一维晶体的电子能带可写成： 式中， a 为晶格常数。试求： （1）能带的宽度； （2）能带底部和顶部电子的有效质量。 解：（ 1）由 E(k) 关 系 文档大全 实用标准 （ 1） （2 ） 令 得： 当 时，代入（ 2 ）得： 对应 E(k) 的极小值。 当 时，代入（ 2 ）得： 对应 E(k) 的极大值。 根据上述结果，求得 和 即可求得能带宽度。 故：能带宽度 （3）能带底部和顶部电子的有效质量： 文档大全 实用标准 习题与思考题： 1 什么叫本征激发？温度越高， 本征激发的载流子越多， 为什么？试 定性说明之。 2 试定性说明 Ge、Si 的禁带宽度具有负温度系数的原因。 3 试指出空穴的主要特征。 4 简述 Ge、Si 和 GaAs的能带结构的主要特征。 5 某一维晶体的电子能带为 其中 E0=3eV，晶格常数 a=5 ×10-11m。求： （1）能带宽度； （2 ）能带底和能带顶的有效质量。 6 原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不 同？原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同？ 7 晶体体积的大小对能级和能带有什么影响？ 8 描述半导体中电子运动为什么要引入 “有效质量”的概念？用电子 的惯性质量 描述能带中电子运动有何局限性？ 文档大全 实用标准 9 一般来说，对应于高能级的能带较宽，而禁带较窄，是否如此？为 什么？ 10 有效质量对能带的宽度有什么影响？有人说：“有效质量愈大， 能量密度也愈大，因而能带愈窄。”是否如此？为什么？ 11 简述有效质量与能带结构的关系？ 12 对于自由电子，加速反向与外力作用反向一致，这个结论是否适 用于布洛赫电子？ 13 从能带底到能带顶，晶体中电子的有效质量将如何变化？外场对 电子的作用效果有什么不同？ 14 试述在周期性势场中运动的电子具有哪些一般属性？以硅的本征 激发为例，说明半导体能带图的物理意义及其与硅晶格结构的联系？ 15 为什么电子从其价键上挣脱出来所需的最小能量就是半导