器件GOI及影响它因素.pptVIP

肖清华 有研半导体材料股份有限公司 件GO及其失效原 bixiaogh@ 因分析 EGOI and the degradation-induced factors 主要内容 MOS管结构及GOI定义 ·GOI失效缘由 GOⅠ的评估 GOI的应变策略 未来的挑战 有研硅股 是1MOS器件结构及基本工作原理 金属栅极 栅氧化物 MOS管类似于 开关,其中的栅 极电压起着开关 的作用 栅氧化物是MOS器件 隔离金属栅极和电流 运行沟道的作用 开关』低电势 高电势栅极氧化物的隔离失 效,栅极无法起到开 启沟道导通的功能 MOS管失效 句有研硅股 GOⅠ的定义 全称 Gate Oxide Integrity,即栅氧化物完整性。它主要表明 栅氧化物电学上“完整”。MOS器件失效的重要原因是栅 氧化物的击穿。一定程度上而言,MOS器件可靠性的同义 词就是GOI 为了提高器件的速度,增大器件电 降低阈值电压,栅氧化层厚度斋要不 断降低。栅氧化层越薄,对其品质要求就越严格,成功的栅氧化层必须具有 很低的漏电流或很高的崩溃电场 有研硅股 GOⅠ失效的缘由 栅氧化物中的电场分布 理想MOS结构的栅氧化物 是一绝缘材料,类似于平 板电容器,横跨氧化物的 电场可以表示为: E=Vg/d Vg为栅电压,d为平板间 距离,即氧化物厚度 当栅氧化物变薄的时候,对于某一固定的工作电压(5V,现在多为 3.3V),其电场强度就增加了。或者,栅氧化物中存在缺陷,局部电场 变化。如此一来,电子就可以 tunneling产生漏电流或导致崩溃。 有研硅股