TiAlNiAu与n型GaN的欧姆接触研究.doc

Ti/Al/Ni/Au与n型G a N的欧姆接触研究①陈志忠②　秦志新　胡晓东　于彤军　童玉珍　丁晓民　杨志坚　张国义(北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室　北京100871 摘　要　通过电流2电压(I2V特性和传输线方法(T LM测量研究在n型G aN上淀积T i/ Al/Ni/Au电极形成欧姆接触的机制。Ni/Au作为T i/Al的覆盖层起了阻止T i,Al,Au的互扩散及抗接触层氧化的作用。在400℃到900℃范围内,T i/Al/Ni/Au与n型G aN的接触电阻随温度升高先略有上升,到500℃以后单调下降。而表面形貌却在合金温度高于600℃以后随温度升高逐步变差。通过两步合金法得到了n2G aN上T i/Al/Ni/Au形成的接触电阻低达9.65×10-7Ωcm2。最后还对两步合金法形成n2G aN欧姆接触的机制进行了讨论。 关键词　n型G aN,欧姆接触,电流2电压(I2V特性,传输线法(T LM,两步合金法 0　引言 G aN基紫外光,蓝绿光发光二极管(LE D以及激光二极管(LD有着极其广泛的应用[1-3]。这些应用对金属2G aN高性能的欧姆接触及其热稳定性等方面提出了严格的要求。n2G aN欧姆接触的获得首先是使用低功函数(Φm金属做接触。早期的接触包括Al单层[4-6](Φm=4.28eV[7],T i单层[8-10] (Φm=4.33eV以及T i/Al双层[11]结构。但是这些接触很容易氧化。用Au做覆盖层,虽能减轻氧化的影响,并能使接触有良好的导电性,但是Au在合金时很容易穿透金属层到达G aN表面,它对n型欧姆接触不利[11-13]。 最近关于n型接触覆盖层的研究引起了重视。T i/Au[13,14],Pt/Au[15,16]和Ni/Au[17-22]作为T i/Al的覆盖层已被做了研究。这些覆盖层大致都起着两个作用:阻止Au向G aN表面的扩散,防止与G aN接触的T i/Al的氧化。Ni/Au是形成p2G aN的欧姆接触的常用金属,它在氧气氛下合金形成坚固的类陶金属瓷状物质[17,23],与p2G aN形成的接触电阻低达4×10-6Ωcm2[23],同时这种金属陶瓷类物质对阻止n电极的氧化,形成较低的接触电阻也起着重要作用[21]。但是T i/Al/Ni/Au形成n型接触的合金温度相对T i/Au,T i/Al/Au覆盖层要高200℃左右[19]。这就有可能导致Au,Ni向G aN表面的扩散,同时使接触的表面形貌变坏[19]。 本工作通过对在n2G aN上分别蒸镀T i/Au,T i/ Al/Au和T i/Al/Ni/Au做接触,研究了Ni/Au覆盖层在形成n型欧姆接触中的作用。同时通过常规合金法和两步合金法研究了获得低接触电阻,较好的形貌的n型接触的方法,得到了低达9.65×10-7Ωcm2的接触电阻。 1　实验 G aN外延层是用M OC VD在(0001蓝宝石衬底上生长制得。n型G aN是在生长0.6μm非故意掺杂G aN层之后开始生长,厚度为2μm。通过Van der Pauw方法测得其电阻率、Hall迁移率和载流子浓度分别为0.0134Ωcm、2.2×1018cm-3和221cm2/Vs。在淀积金属电极之前,样品放置于反应离子刻蚀系统(RIE的腔室中,利用CHF3和O2的等离子体进行清洁和钝化处理。然后用电子束蒸发的方法分别在n2G aN上淀积电极,结构为:T i(20nm/Au(200 nm,T i(20nm/Al(20nm/Au(200nm,T i(20 nm/Al(20nm/Ni(20nm/Au(200nm。接着把样品分别放置于快速热处理(RTP系统中合金,合金温度为400℃到900℃。合金条件有不同温度下长时间处理(10分钟和低温长时间加上不同高温快速处理(两步合金法两种。合金气氛为N2气氛。对合金后的样品分别测量了电流2电压(I2V特性和 ① ②男,1971年生,博士生,讲师;研究方向:G aN基器件物理;联系人。 (收稿日期:2003205212 863计划(2001AA31120Z资助项目。 接触电阻,其中接触电阻是传输线方法(T LM 测量,T LM 图形用光刻和RIE 方法得到,图形为长方形(250μm ×200μm ,每单元有9块,间距分别为20~90μm 依次增加。合金后n 电极表面形貌通过Z eiss 显微镜摄得,并用计算机读取图像。2　结果与讨论 图1给出了不同金属组分的n 2G aN 接触的I 2V 特性,合金温度是600℃,时间为10分钟。其中T i/Al/Au 比T i/Au 的线性要好一些,而T i/Al/Ni/Au 线性最好,同时直线的斜率也比较高,表明已经形成了较好的欧姆接触。相同合金条件下,T i/Au 接触显示了整流特性。T i