可关断器件资料.ppt

电力电子技术 全控型器件（自关断器件） 通过控制信号既可以控制器件 的开通，又可以控制器件关断 的电力电子器件。 门极可关断晶闸管 （ GTO ） 电力场效应晶体管 （ MOSFET ） 电力晶体管 （ GTR ） 绝缘栅双极晶体管 （ IGBT ） 电力电子技术 ? 晶闸管的一种派生器件 – 可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断 – GTO 的电压、电流容量较大，与普通晶闸管 接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有 较多的应用 1 、门极可关断晶闸管 （ Gate-Turn-Off Thyristor — GTO ） 电力电子技术 c) 图1-13 A G K G G K N 1 P 1 N 2 N 2 P 2 b) a) A G K 1.1 GTO 结构 a) 各单元的阴极、门极间隔排列的图形 b) 并联单元结构断面示意图 c) 电气图形符号 电力电子技术 ? 结构与普通晶闸管的相同点： PNPN 四层半导体结构，外部引出阳极、阴极 和门极 ? 和普通晶闸管的不同： GTO 是一种多元 的功率集成器件，内部包含数十个甚至 数百个共阳极的小 GTO 元，这些 GTO 元的阴极和门极则在器件内部并联在一 起 电力电子技术 1.2 GTO 工作原理 ? 与普通晶闸管一样，可以用图 1-7 所示的双晶体管模型来分析 R NPN PNP A G S K E G I G E A I K I c2 I c1 I A V 1 V 2 P 1 A G K N 1 P 2 P 2 N 1 N 2 a) b) 电力电子技术 R NPN PNP A G S K E G I G E A I K I c2 I c1 I A V 1 V 2 P 1 A G K N 1 P 2 P 2 N 1 N 2 a) b) GTO 的开通原理与普通晶闸管相同，只是导通 时的饱和程度不高，有利于门极控制关断。 电力电子技术 R NPN PNP A G S K E G I G E A I K I c2 I c1 I A V 1 V 2 P 1 A G K N 1 P 2 P 2 N 1 N 2 a) b) GTO 的关断原理 ： 给门极加负脉冲，从门极抽出电流，晶 体管 V 2 的基极电流减小，使 I K 和 I C2 减小， I C2 减小又使 I A 和 I C1 减小，进一步减小 V 2 的基极电流，如此形成强烈的正反 馈，最后使 V 1 和 V 2 退出饱和而关断。 电力电子技术 GTO 和普通晶闸管设计上的不同 （ 1 ）设计 ? 2 较大，使晶体管 V2 控制灵敏，易于 GTO 关断 （ 2 ）导通时 ? 1+ ? 2 更接近 1 （ ? 1.05 ，普通晶闸管 ? 1+ ? 2 ? 1.15 ）导通时饱和不深，接近临界饱和， 有利门极控制关断，但导通时管压降增大 （ 3 ）多元集成结构使 GTO 元阴极面积很小，门、阴 极间距大为缩短，使得 P2 基区横向电阻很小，能从 门极抽出较大电流 电力电子技术 1.3 GTO 动态特性 O t 0 t 图1-14 i G i A I A 90% I A 10% I A t t t f t s t d t r t 0 t 1 t 2 t 3 t 4 t 5 t 6 GTO 的开通和关断过程电流波形 电力电子技术 1.3 GTO 主要参数 （ 1 ）最大可关断阳极电流 I ATO GTO 额定电流 （ 2 ）电流关断增益 ? off 最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流 最大值 I GM 之比称为电流关断增益 ? off 一般很小，只有 5 左右，这是 GTO 的一个主要缺点。 1000A 的 GTO 关断时门极负脉冲电流峰值要 200A （ 3 ）开通时间 t on 延迟时间与上升时间之和。延迟时间一般约 1-2 ? s ，上升时间则随通态阳极电流值的增大而增大 （ 4 ）关断时间 t off 一般指储存时间和下降时间之和，不包括尾 部时间。 GTO 的储存时间随阳极电流的增大而增大，下降时间一 般小于 2 ? s GM ATO off I I ? ? 电力电子技术 2 、电力晶体管 （ Giant Transistor —— GTR ） 2.1 GTR 的结构 a) 基极 b P 基区 N 漂移区 N + 衬底 基极 b 发射极 c 集电极 c P + P + N + b) b e c 空穴流 电 子 流 c) E b E c i b i c = ? i b i e =(1+ ?? ? i b GTR 的结构、电气图形符号和内部载流子的流动 电力电子技术 2.2 GTR 的工作原理 a) 基极 b P 基区 N 漂移区 N + 衬底 基极 b 发射极 c 集电极 c P + P + N + b) b e