GB2020表面化学分析 深度剖析 用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射速率的方法-标准全文及编制说明.pdfVIP

GB2020表面化学分析深度剖析用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离 子质谱中深度剖析溅射速率的方法-编制说明.pdf GB2020表面化学分析深度剖析用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离 子质谱中深度剖析溅射速率的方法.pdf 表面化学分析 深度剖析 用单层和多层薄膜测定X 射线光 电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射 速率的方法 Surface chemical analysis — Depth profiling — Method for sputter rate determination in X-ray photoelectron spectroscopy, Auger electron spectroscopy and secondary-ion mass spectrometry sputter depth profiling using single and multi-layer thin films 编 制 说 明 表面化学分析 深度剖析 用单层和多层薄膜测定X 射线光电子能 谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射速率的方法 国家标准编制工作组 2020 年 4 月14 日 1 一、 编制标准的目的和意义 表面化学分析的溅射率一般是由溅射深度的商数决定的，用轮廓仪测量法和溅射时 间测定。然而，对于多层薄膜这种方法只能检测平均溅射率。因此，这种方法很难适用 于由不同溅射率的材料组成的多层薄膜。溅射率也受到各种制备参数的影响，因此很难 对其进行制表推算和用于溅射深度校准。为了提高精确度，在每个实验室的特定实验条 件下，对溅射率进行测定是很重要的。溅射率应该用比溅射离子的投影范围更厚的单层 来确定，这样表面瞬态效应可以忽略不计，或者使用多层薄膜，可以排除表面瞬态现象 的影响，并且可以最小化界面瞬变现象。利用俄歇电子能谱（AES ）、x 射线光电子能 谱（XPS ）和二次离子质谱法（SIMS），针对单层和多层薄膜确定溅射率，为标定溅射 深度制定了国家标准。测量的溅射率可用于预测各种其他材料的溅射率，以便在日常样 品中通过溅射产量和体积密度的制表值估计深度尺度或溅射次数。 参考文献： 1. Ghazal Saheli, Takashi Kuratomi, I-cheng Chen,Paul Mack, Christopher LaziK, Jeffrey Anthis, David M. Thompson,Christopher R. Brundle. Use of Si KLL Auger shifts and the Auger parameter in XPS to distinguish Ti silicides from a Ti/Si mixture in thin films[J]. Elsevier B.V.,2019,234. 2. 梁家伟,林晓琪,毕焰枫,冯朗丹,庄素娜,韩逸山,余云鹏,王江涌.不同工作参数下 Ni/Ag 双层膜GDOES 深度谱的比较[J]. 真空, 2018,55(02):5-9. 3. 康红利, 简玮, 韩逸山, 刘毅, 王江涌. 溅射深度剖析定量分析及其应用研究进展 [J]. 汕头大学学报( 自然科学版), 2016, 31(02):3-24+2. 4. 康红利, 劳珏斌, 刘毅, 王江涌.SIMS 溅射深度剖析的定量分析[J]. 真空, 2015,52(02):44-49. 5. 刘毅, 王江涌. 择优溅射对深度剖析谱和深度分辨率的影响[J]. 真空, 2013,50(01):15-19. 6. 刘毅,王江涌.溅射深度剖析的定量分析及其应用[J].真空, 2012,49(02):71-76. 7. 查良镇,邹庆生,王有政,宋风华,刘容.复杂多层结构的二次离子质谱定量深度分析 [J]. 清华大学学报( 自然