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电力电子技术课程设计 单相半控桥式晶闸管整流电路设计（反电势、电阻） 班级： 学号： 姓名： 单相半控桥式晶闸管整流电路设计 一、设计目的 1、把从电力电子技术课程中所学到的理论和实践知识，在课程设计实践中全面 综合的加以运用，使这些知识得到巩固、提高，并使理论知识与实践技能密切结 合起来； 2、初步树立起正确的设计思想，掌握一般电力电子电路设计的基本方法和技能， 培养观察、分析和解决问题及独立设计的能力，训练设计构思和创新能力； 二、设计任务 1、通过查阅参考资料完成单相半控桥式晶闸管整流电路的设计任务； 2、绘制电气控制原理图，包括主电路图及触发电路图(或驱动电路图)，正确选 择或设计元器件，订列元器件目录清单； 1.设计的主要参数及要求： 设计条件：1、电源电压：交流100V/50Hz 2、输出功率：500W 3、移相范围30º~150º 4、负载为反电势、电阻负载 2.电路元件的选择 （1）整流元件的选择 由于单相桥式半控反电动势、电阻负载电路主要器件是晶闸管，所以选取元件时 主要考虑晶闸管的参数及其选取原则。 晶闸管的结构 晶闸管是大功率的半导体器件，从总体结构上看，可区分为管芯及散热器两大部 分，分别如图所示 单相半控桥式晶闸管整流电路设计 a） 螺栓型 b）平板型 c）电气符号 图晶闸管管芯及电路符号表示 晶闸管管芯的内部结构如图所示，是一个四层（P —N —P —N ）三端（A、K、G） 1 1 2 2 的功率半导体器件。它是在 N 型的硅基片（N ）的两边扩散Ｐ型半导体杂质层（P 、 1 1 P ），形成了两个PN 结 J 、J 。再在P 层内扩散Ｎ型半导体杂质层 N 又形成另一 2 1 2 2 2 个 PN 结 J 。然后在相应位置放置钼片作电极，引出阳极A，阴极K 及门极 G，形 3 成了一个四层三端的大功率电子元件。这个四层半导体器件由于 三个 PN 结的存在，决定了它的可控导通特性。 晶闸管的工作原理 通过理论分析和实验验证表明： 1） 只有当晶闸管同时承受正向阳极电压和正向门极电压时晶闸管才能导通，两 者不可缺一。 2） 晶闸管一旦导通后门极将失去控制作用，门极电压对管子随后的导通或关断 均不起作用，故使晶闸管导通的门极电压不必是一个持续的直流电压，只要是一 个具有一定宽度的正向脉冲电压即可，脉冲的宽度与晶闸管的开通特性及负载性 质有关。这个脉冲常称之为触发脉冲。 3） 要使已导通的晶闸管关断，必须使阳极电流降低到某一数值之下 （约几十毫 安）。这可以通过增大负载电阻，降低阳极电压至接近于零或施加反向阳极电压 来实现。这个能保持晶闸管导通的最小电流称为维持电流，是晶闸管的一个重要 参数。 晶闸管为什么会有以上导通和关断的特性，这与晶闸管内部发生的物理过程有 关。晶闸管是一个具有P —N —P —N 四层半导体的器件，内部形成有三个PN 结 1 1 2 2 J 、J 、J ，晶闸管承受正向阳极电压时，其中J 、J 承受反向阻断电压，J 承受 1 2 3 1 3 2 正向阻断电压。这三个 PN 结的功能可以看作是一个 PNP 型三极管 VT （P —N — 1 1 1 单相半控桥式晶闸管整流电路设计 P ）和一个NPN型三极管VT （N—P—N ）构成的复