1.2 半导体硅单晶电阻率的测量.pptVIP

1.2 半导体硅单晶电阻率的测量 一、半导体材料的电阻率与载流子浓度 电阻率是荷电载体流经材料时受到阻碍的一种量度。对于半导体材料，电阻率反映了补偿后的杂质浓度。一般而言，电阻率是杂质浓度差的函数。 以P型半导体为例： 式中----NA 为受主杂质浓度，ND 为施主杂质浓度 μp为空穴迁移率，q为电子电荷 二、电阻率的测试方法 按照测量仪器分类： 1、接触法：适用于测量硅单晶、切、磨等硅片的电阻率 （1）两探针法 （2）四探针法 （3）扩展电阻法 （4）范德堡法 2、无接触法：测量硅抛光、外延及SOI等片的电阻率 （1）C-V法 （2）涡旋法 三、两种典型的测量方法 1、两探针法 （1）一般金属测试电阻率： 如果用以上装置来测量半导体的电阻率，由于导线与样品之间存在很大的接触电阻，其有效电路图如图所示： 两探针法测试半导体材料电阻率示意图 （2）两探针法电阻率的基本原理 如图所示，在样品两端通以电流，并在样品的电流回路上串联一个标准电阻Rs，利用高输入的电压表或电位差计测量电阻上的电压降Vs，计算出流经半导体样品中的电流： 然后依靠两个靠弹簧压紧的探针在半导体样品的长度测量A、B两点的电压降VT,并测量出该两点之间的距离L。因此，可得样品的电阻率： 两探针之间的有效电路 电位差计测量两探针之间的电压降VT ，其有效电